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SIHB33N60ET1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
TO-263（D²Pak）
包装 :
编带
重量 :
1.662g
描述 :
场效应管(MOSFET) 278W 600V 33A 1个N沟道 D2PAK(TO-263)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
14.22按整 :
圆盘(1圆盘有800个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥14.22
--
100+
￥12.69
--
8000+
产品参数
产品手册
产品概述
SIHB33N60ET1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 33A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 99mΩ @ 16.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 278W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 33A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 99 毫欧 @ 16.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 150nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3508pF @ 100V | 功率耗散（最大值） | 278W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-263（D²Pak） | 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
SIHB33N60ET1-GE3手册
SIHB33N60ET1-GE3概述
SIHB33N60ET1-GE3 产品概述
基本概述
SIHB33N60ET1-GE3是由VISHAY（威世）公司生产的一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。该组件专为高电压和高电流应用而设计，最大漏源电压达600V，能连续提供33A的漏极电流，在高温环境下同样稳定工作，最高工作温度可达150°C。这使其非常适合在电源转换和大功率控制等领域中使用。
关键参数
漏源电压(Vdss):
- SIHB33N60ET1-GE3的漏源电压为600V，足以应对各种高压电源应用，如AC-DC转换器和逆变器。
连续漏极电流(Id):
- 在25°C的环境温度下，设备可支持33A的连续漏极电流（Tc）。这种高电流能力使得该MOSFET在严苛的负载条件下仍能可靠运行。
导通电阻(Rds(on)):
- 在10V栅源电压和16.5A电流下，漏源导通电阻为99mΩ。这一较低的导通电阻意味着在开启状态下，器件的功耗减小，提升了整体能效。
阈值电压(Vgs(th)):
- 在250µA的漏极电流下，栅源极阈值电压为4V，提供快速的开关响应。
栅极电荷(Qg):
- 在10V的栅源电压下，栅极电荷最大值为150nC。这对于高频开关应用特别重要，可以保证快速且高效的开关性能。
耐压极限和功率耗散:
- 最大功率耗散能力为278W，在适当的散热条件下，能够有效地管理功率消耗，适合高功率电源供应应用。
工作温度范围:
- 本器件可在-55°C至150°C的极端温度下工作，适应广泛的工业和汽车应用，能够在恶劣环境下持续稳定运行。
封装类型:
- SIHB33N60ET1-GE3采用TO-263（D²Pak）表面贴装型封装，体积小，便于散热，有效降低了PCB占用面积。
应用领域
SIHB33N60ET1-GE3广泛应用于多个领域，包括但不限于：
- 高功率开关电源
- 各类电机驱动器
- 电池管理系统
- 工业设备
- 逆变器（用于太阳能和风能应用）
- 汽车电子（如电动汽车驱动控制）
优势
- 高效性能：由于其低导通电阻和优良的散热能力，该MOSFET可显著提高电路的整体能效。
- 高耐压：可以承受高达600V的电压，适用于多种高压应用。
- 高温操作：能够在广泛的温度范围内工作，使其在苛刻的环境下也能保持高性能。
- 快速开关：专业的电气特性使其在高频应用中具备优越的表现，减少开关损耗。
总结
SIHB33N60ET1-GE3是一款结合高电压、高电流和出色散热性能的N沟道MOSFET。凭借其低导通电阻和高功率耗散能力，该组件特别适合现代高效电源设计和工业控制系统。它的广泛应用范围和优越的性能指标使其成为高电压和高功率应用中理想的选择。