SIHB33N60E-GE3
SIHB33N60E-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 33A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 99mΩ @ 16.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 278W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 33A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 99 毫欧 @ 16.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 150nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3508pF @ 100V | 功率耗散（最大值） | 278W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D2PAK | 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
SIHB33N60E-GE3手册
SIHB33N60E-GE3概述
SIHB33N60E-GE3 产品概述
SIHB33N60E-GE3 是一款高性能 N 通道 MOSFET，专为高压、高效的电力电子应用而设计。它的主要特点包括：600V 的漏源电压（Vdss），33A 的连续漏极电流（Id），以及能够在极端工作条件下可靠运行的能力，使其在电源管理、开关模式电源（SMPS）、逆变器、以及其他高压负载控制场合的应用备受青睐。
主要参数
- 漏源电压 (Vdss): 600V
- 连续漏极电流 (Id): 33A (在 Tc=25°C 时)
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 4V @ 250µA
- 漏源导通电阻 (Rds(on)): 99mΩ @ 16.5A, 10V
- 最大功率耗散: 278W (在 Ta=25°C 时)
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C
结构与封装
SIHB33N60E-GE3 采用 D2PAK 封装设计，特点是良好的散热性能和较小的占板空间，使其能够满足高热功率应用的需求。该封装还具备两条引线和一个接片，适合表面贴装（SMT）工艺，便于快速安装和替换。此外，封装的设计使 MOSFET 在高频率应用中表现出色，有助于提升整体电路的效率和稳定性。
性能特点
该 MOSFET 具有优异的导通性能，其导通电阻（Rds(on)）在额定条件下仅为 99mΩ。这一低导通电阻使得 SIHB33N60E-GE3 在高电流工作时，能够有效减少功率损耗，提高设备的效率。此外，其较高的栅极电荷（Qg）达到 150nC @ 10V，能够迅速充放电，减小开关损耗，为开关频率较高的应用提供了良好的支持。
应用场景
由于其出色的电压和电流特性，SIHB33N60E-GE3 非常适合下列应用场景：
开关模式电源 (SMPS): 在电源转换过程中，通过快速的开关动作来控制电压和电流，MOSFET 的高效能有助于实现较高的能量转换效率。
逆变器: 在太阳能逆变器和电动车逆变器中，作为主要的开关元件，MOSFET 需要承受高电压和高电流，SIHB33N60E-GE3 能够满足这一需求。
电机驱动: 在各种电动机控制和驱动连接中，MOSFET 的快速开关能力使得电机控制系统能够实现高效、精确的控制。
LED 驱动电源: 在 LED 照明市场，MOSFET 是提供恒流驱动的核心元件，有助于延长 LED 的使用寿命。
总结
SIHB33N60E-GE3 是一款功能强大、性能优越的 N 通道 MOSFET，具备高压和高电流处理能力。其适应性强，能够在多种高性能电力电子应用中展现出出色的性能和可靠性。作为 VISHAY 旗下的高品质器件，SIHB33N60E-GE3 务必为设计工程师提供理想的解决方案，以应对日益严峻的电力电子需求。通过集成在现代的电源管理体系中，该 MOSFET 将为未来的电子产品创新铺平道路。