SIA906EDJ-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
PowerPAK® SC-70-6 双
包装 :
编带
重量 :
5.45g
描述 :
场效应管(MOSFET) 7.8W 20V 4.5A 2个N沟道 WSON-6-EP(2x2)
库存 :
7132(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
1.76按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.76
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100+
￥1.41
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750+
￥1.25
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1500+
￥1.19
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3000+
￥1.13
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30000+
产品参数
产品手册
产品概述
SIA906EDJ-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 4.5A |
| 栅源极阈值电压 | 1.4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 46mΩ @ 3.9A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 7.8W | 类型 | 双N沟道 |
| FET 类型 | 2 N-通道（双） | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.5A | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 46 毫欧 @ 3.9A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 12nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 350pF @ 10V | 功率 - 最大值 | 7.8W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SC-70-6 双 | 供应商器件封装 | PowerPAK® SC-70-6 双 |
SIA906EDJ-T1-GE3手册
SIA906EDJ-T1-GE3概述
SIA906EDJ-T1-GE3 产品概述
SIA906EDJ-T1-GE3 是一款高性能的双N沟道场效应管（MOSFET），由知名电子元器件制造商 VISHAY（威世）生产。该产品专为要求高效率和卓越性能的应用而设计，在电子设备中常见于开关电源、DC-DC转换器、马达驱动器及负载开关等场合。凭借其优越的电气特性、适中的功耗和宽广的工作温度范围，SIA906EDJ-T1-GE3 是高密度布置和功率管理应用的理想选择。
关键参数
SIA906EDJ-T1-GE3 的主要参数包括：
- 漏源电压（Vdss）: 20V
- 连续漏极电流（Id）: 4.5A（在25°C环境下）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 1.4V @ 250µA，这意味着其在低电压下也能有效开启。
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 46mΩ @ 3.9A，4.5V，表示在开启状态下，流过的电流阻力极低，从而减少功率损耗。
- 最大功率耗散: 7.8W，这一特性允许MOSFET在一定功率水平下工作而无过热风险。
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C，非常适合极端环境条件下的使用。
电气特性
SIA906EDJ-T1-GE3 的导通电阻和功率耗散的优秀特性使其非常适合用于逻辑电平驱动电路。其最大栅极电荷（Qg）为12nC @ 10V，通常在控制高速开关时的驱动损耗方面表现良好。此外，输入电容（Ciss）为350pF @ 10V，有助于降低驱动源的负担，从而在实现高频率开关操作时保持良好的效率。
封装与安装
该器件采用 PowerPAK® SC-70-6 双封装，具有紧凑的尺寸和良好的散热性能，非常适合表面贴装工艺（SMD），可用于高密度电子产品的设计。该封装方式还确保了加强的机械强度和热管理效果，使得 MOSFET 在各种环境中都能保持稳定工作。
应用场景
由于其小体积和高电气性能，SIA906EDJ-T1-GE3 是如下应用的理想选择：
- 开关电源: 在AC-DC和DC-DC转换中作为开关元件，提供高效的能量转换。
- 马达驱动: 在无刷电机控制，尤其是电动工具和家用电器中有广泛应用。
- 负载开关: 可以用于高效的电源管理，在电池供电的设备中最大限度地延长电池寿命。
- 逻辑电平转换: 在微控制器和其他数字电路中提供高效的信号转换。
总结
综上所述，SIA906EDJ-T1-GE3 是一款结合了高电流高电压能力、低导通电阻及优异的热管理性能的双N沟道MOSFET。在高频和高功率驱动的电子应用中，能够提供可靠的性能。凭借其宽广的工作温度范围和出色的电气特性，SIA906EDJ-T1-GE3 是高效能、高密度电子系统的理想选择，能够满足现代电子设备对高性能元件的需求。