SI7898DP-T1-GE3
SI7898DP-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 150V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 3A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 85mΩ @ 3.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.9W | 类型 | N沟道 |
| 功率耗散（最大值） | 1.9W（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A（Ta） | FET 类型 | N 通道 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 21nC @ 10V | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 85 毫欧 @ 3.5A，10V | 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
SI7898DP-T1-GE3手册
SI7898DP-T1-GE3概述
SI7898DP-T1-GE3 产品概述
一、产品简介
SI7898DP-T1-GE3 是由 VISHAY（威世）公司制造的一款高性能 N 沟道 MOSFET，专为高可靠性和高效率的电源管理应用而设计。其技术规格显示出优良的电气特性，适用于驱动电压、开关电源、逆变器和其他高压应用场景。这款 MOSFET 的最大漏源电压可达 150 V，允许其在多种苛刻环境中表现出色。
二、关键参数
漏源电压 ( Vdss ): 150V
- 该参数显示了 MOSFET 可承受的最大电压，确保在高电压条件下稳定运行。
连续漏极电流 ( Id ): 3A ( 25°C 时 )
- 允许在额定温度下持续传导的最大电流，适用于需要稳定电流输出的应用。
栅源极阈值电压 ( Vgs(th) ): 4V @ 250μA
- 该特性指示了 MOSFET 在导通状态下所需的最低栅源电压，确保在适当的控制信号下能够快速切换。
漏源导通电阻 ( Rds(on) ): 85mΩ @ 3.5A, 10V
- 低导通电阻意味着该 MOSFET 在导通状态下能有效降低功耗，提高电源效率。
最大功率耗散: 1.9W ( Ta=25°C )
- 该参数定义了 MOSFET 能够承受的最大功率损耗，适合各种功率密集型应用。
工作温度范围: -55°C ~ 150°C ( TJ )
- 宽广的工作温度范围，使其在极端环境下也能可靠工作，适合航空航天、汽车等行业。
封装类型: PowerPAK® SO-8
- 小型化的表面贴装封装设计便于自动化生产流程的实施，同时也适合追求小型化设计的电子设备。
三、应用领域
SI7898DP-T1-GE3 具有优良的电气特性，使其在多个领域中广泛应用：
电源管理: 适用于开关电源、DC-DC 转换器及高效率电源模块，用于提高能量转换效率，降低能量损耗。
电机控制: 在电机驱动和控制应用中，该 MOSFET 可以用作高效开关，提高系统的整体性能，降低发热量。
汽车电子: 由于其宽广的工作温度范围和耐受高电压的能力，SI7898DP-1-GE3 适合用在汽车供电、动力系统管理及其他关键组件中。
逆变器应用: 在太阳能及风能逆变器中，能有效转换直流电至交流电，提高能量利用率。
四、技术优势
高能效: 采用了先进的 MOSFET 技术，118NSPDN 支持高频率开关操作，有效降低了开关损耗，提高了整体能效。
高度可靠性: 产品经过严格的工艺测试，确保在恶劣环境下保持卓越的性能，不易出现故障。
易于集成: 以表面贴装型设计，适合各种自动化装配线，简化了生产过程与设计。
五、总结
SI7898DP-T1-GE3 N沟道 MOSFET 的设计适用于高压和高效能电源管理应用，拥有广泛的应用场景。其优良的电气特性、可靠的性能和高能效，使得其在当前电子元器件市场上占有一席之地，是工程师设计电源或驱动电机时的优秀选择。无论是在消费电子、工业自动化还是汽车电子领域，SI7898DP-T1-GE3 都将为应用提供强有力的支持。