SI7758DP-T1-GE3
SI7758DP-T1-GE3参数
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 30V | 安装类型 | 表面贴装(SMT) |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 60A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.9 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.7V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 160nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 7150pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 6.25W（Ta），104W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
SI7758DP-T1-GE3手册
SI7758DP-T1-GE3概述
SI7758DP-T1-GE3 产品概述
SI7758DP-T1-GE3 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，封装采用 PowerPAK® SO-8 形式，专为高频率和电流应用而设计。该元件的漏源极电压（Vdss）为 30V，适合在中等电压条件下的应用，尤其适合要求高效率和低导通损耗的场景。其具备 60A 的连续漏极电流（Id），在温度达到 25°C 时能够保证稳定的性能。
主要参数与特性
漏源极电压（Vdss）: SI7758DP-T1-GE3 的最大漏源极电压为 30V，适用于低压高电流的电源转换电路，如 DC-DC 转换器和步进电源。
连续漏极电流（Id）: 在 25°C 下，该器件允许的连续漏极电流达 60A，使其适合高电流密度的应用，特别是在大功率开关电源和电机驱动器中。
导通电阻（Rds(on)）: 在 Vgs = 10V 和 Id = 20A 时，最大导通电阻为 2.9 毫欧。这一低导通电阻保证了在高负载条件下低功耗和高效率，减少了能量损耗和发热，提高了系统的可靠性。
工作温度范围: SI7758DP-T1-GE3 能在 -55°C 至 150°C 的温度范围内工作，使其能够在极端环境条件下稳定运行，适合汽车电子、高温和高频应用等领域。
栅极电压（Vgs）: 最大栅极电压为 ±20V，能够适应多种驱动电路的需求。此外，驱动电压设置在 4.5V 和 10V，可为设计人员提供灵活的选择以匹配不同逻辑电平的驱动要求。
输入电容（Ciss）: SI7758DP-T1-GE3 的输入电容在 Vds = 15V 时为最大 7150pF。这一参数在高速开关应用中显得尤为重要，因为较低的输入电容可以提高开关速度，降低开关损耗。
栅极电荷（Qg）: 在 Vgs = 10V 时，栅极电荷最大为 160nC。合理的栅极电荷值使得 SI7758DP-T1-GE3 在高频开关应用中保持良好的性能，能够快速响应开关信号。
应用领域
凭借其出色的热性能和高电流承载能力，SI7758DP-T1-GE3 广泛应用于以下领域：
开关电源: 由于其低导通电阻和高电流能力，SI7758DP-T1-GE3 是开关电源中的理想选择，能够有效提升电源的能效。
电机控制: 在电机驱动应用中，该 MOSFET 提供高效率的开关性能，适合用于无刷直流（BLDC）电机和步进电机的控制。
电压调节模块: 在 DC-DC 转换器和电压调节设备中，SI7758DP-T1-GE3 的高效率和温度稳定性使其成为优选元件。
汽车电子: SI7758DP-T1-GE3 的宽工作温度范围和良好的耐受性使其适合应用在汽车电源管理和电池管理系统中。
总结
SI7758DP-T1-GE3 是一款性能优越的 N 通道 MOSFET，具备高电流承载、低导通电阻及优秀的热管理能力，适合多种高频和大功率应用。凭借其可靠性和效率，这款器件将为电子设计人员提供良好的解决方案，推动各种应用的高效开发和创新。无论是在工业、汽车还是消费电子领域，SI7758DP-T1-GE3 都能够满足现代电子设计的严格要求，帮助实现更高的性能标准和能效目标。