SI7456DDP-T1-GE3

SI7456DDP-T1-GE3 产品概述

1. 概介

SI7456DDP-T1-GE3是VISHAY（威世）公司推出的一款高性能N沟道MOSFET，采用表面贴装型的PowerPAK® SO-8封装。该产品专为高效电源管理和快速开关应用而设计，适用于各种消费电子、工业控制及通信设备的电源转换系统。

2. 关键参数

• 导通电阻: 在10A、10V的条件下，SI7456DDP-T1-GE3最大导通电阻为23毫欧。这一特性使其在高电流传输场合中显示出极低的功耗，减少了发热量，提高了系统的能效。

• 驱动电压: 此MOSFET的驱动电压范围从4.5V到10V，支持宽范围的工作条件，保证了在各类驱动电路中的兼容性和灵活性。

• 连续漏极电流（Id）: SI7456DDP-T1-GE3在25°C时，可以承载高达27.8A的连续漏极电流（Tc），为客户提供了可靠的高电流处理能力。

• 漏源电压（Vdss）: 该MOSFET的额定漏源电压为100V，适用于中高压电源转换应用，能够安全地承受升高的电压条件。

• 功率耗散: 最大功率耗散为5W（环境温度Ta），而在结点温度（Tc）为25.7W，显示出其在高功率密度应用场合中的优良表现。

3. 适用温度范围

SI7456DDP-T1-GE3的工作温度范围为-55°C到150°C。这一广泛的工作温度范围保证了该MOSFET在极端环境下的稳定运行，满足不同工业应用的需求。

4. 其他特性

• 输入电容（Ciss）: 在50V时，输入电容最大值为900pF，提供良好的频率响应，适用于高速开关应用。

• 栅极电荷（Qg）: 在10V的条件下，其栅极电荷最大值为29.5nC，意味着在频繁开关过程中可以有效减少开关损耗，提高性能和效率。

• 栅源阈值电压（Vgs(th)）: 该器件的Vgs(th)在250µA下的最大值为2.8V，展现了其良好的驱动特性，确保能够在较低的控制电压下开启。

5. 应用场合

SI7456DDP-T1-GE3因其出色的性能和高可靠性，可广泛应用于以下领域：

• DC-DC转换器: 该MOSFET可作为高效的开关元件，提升电源转换效率，适用于电源适配器、充电器等设备。
• 电机驱动电路: 由于其良好的散热性能，适合用于电机控制和驱动应用，确保高效运行。
• 电源管理: 在各种消费电子产品中，SI7456DDP-T1-GE3能够帮助实现良好的电源管理，提升设备性能并延长使用寿命。

6. 结论

SI7456DDP-T1-GE3是一款功能强大且可靠的N沟道MOSFET，具备优异的电气特性和宽广的工作温度范围。它不仅在高电流、高温度及高电压环境中表现卓越，同时适用范围广泛，能够满足当前电子产品在能效和性能方面的严苛要求。选择SI7456DDP-T1-GE3，您将获得值得信赖的解决方案，以应对复杂多变的市场需求。