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SI7143DP-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
PowerPAK® SO-8
包装 :
编带
重量 :
0.5g
描述 :
场效应管(MOSFET) 4.2W；35.7W 30V 35A 1个P沟道 PowerPAK-SO-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
4.68按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥4.68
--
100+
￥3.9
--
750+
￥3.62
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1500+
￥3.45
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3000+
￥3.28
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18000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI7143DP-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 35A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 2.8V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 10mΩ @ 16.1A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 35.7W(Tc) | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 35A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 10 毫欧 @ 16.1A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 71nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2230pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 4.2W（Ta），35.7W（Tc） |
| 工作温度 | -50°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 | 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
SI7143DP-T1-GE3手册
无数据
SI7143DP-T1-GE3概述
SI7143DP-T1-GE3 产品概述
SI7143DP-T1-GE3 是一款高性能的 P 沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），由知名电子元器件制造商 VISHAY （威世）生产。该器件凭借其优越的电气性能和可靠的封装设计，被广泛应用于各种电子电路，特别是在电机驱动、电源管理和自动化控制等领域。本文将详细介绍该 MOSFET 的主要特点、应用场景以及优劣势。
主要规格
漏源电压 (Vdss): 30V
- SI7143DP-T1-GE3 的漏源电压最高可承受 30V，适合于多种低电压电路应用。
连续漏极电流 (Id): 35A (在 25°C 时)
- 该器件的连续漏极电流为 35A，能够满足对高电流传输的需求，并在较高温度下仍能保持稳定的工作状态。
导通电阻 (Rds(On)): 10mΩ (在 16.1A，10V 时)
- 该 MOSFET 具有极低的导通电阻，使得其在正常工作情况下能保持较低的热损耗和高效的能量转换。
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 2.8V @ 250µA
- 较低的阈值电压确保其能够有效响应低电压信号，适合与更小的控制电压兼容的电路。
功率耗散能力: 4.2W (Ta)，35.7W (Tc)
- 该 MOSFET 的最大功率耗散能力使其在高负载情况下仍能保持优秀的热管理，避免过热引起的性能下降。
工作温度范围: -50°C ~ 150°C
- 宽广的工作温度范围使得 SI7143DP-T1-GE3 能适应多种极端环境，增强了其应用的灵活性。
封装类型: PowerPAK® SO-8
- 其表面贴装型的封装设计不仅支持便捷的焊接和安装，同时也有助于提升散热效果，进一步优化电子设备的性能。
栅极电荷 (Qg): 71nC @ 10V
- 较低的栅极电荷有助于增强开关速度，降低驱动器的功耗，提高整体系统的效率。
应用领域
由于其优良的电气特性，SI7143DP-T1-GE3 适合于多种应用环境：
- 电源管理: 在DC-DC转换器和电源调节器中，作为开关元件，SI7143DP-T1-GE3 能有效降低导通损耗，提高系统效率。
- 电机驱动: 该 MOSFET 可用于电机驱动电路中，提供高电流、低损耗的开关控制，满足电机起动和运行需求。
- 自动化控制: 在工业自动化系统中，SI7143DP-T1-GE3 能用于开关控制和负载驱动，确保高效可靠的工作。
优势与劣势
优势:
- 超低导通电阻: 提高能效，减少热量损耗，延长系统寿命。
- 高电流承载能力: 适用于高功率应用，确保较高的可靠性。
- 宽工作温度范围: 极大增强了应用环境的适应性。
劣势:
- 相对于N沟道MOSFET: P沟道MOSFET的导通电阻通常较高，对于某些特殊应用可能不如N沟道表现优异。
- 价格因素: 某些情况下，特殊的P沟道MOSFET可能成本较高，对于预算有限的项目需谨慎选择。
结论
总之，SI7143DP-T1-GE3 是一款结合了高性能和广泛适用性的 P 沟道 MOSFET，它以其出色的电气特性和散热解决方案为各种电子设备提供可靠的支持。凭借 VISHAY 的品牌信誉和该器件卓越的技术规格，用户可以在其设计中充满信心地采用 SI7143DP-T1-GE3，以提升系统的效率和可靠性。