注：图像仅供参考，请参阅产品规格数据手册
SI7101DN-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
PowerPAK® 1212-8
包装 :
编带
重量 :
0.176g
描述 :
场效应管(MOSFET) 3.7W；52W 30V 35A 1个P沟道 PowerPAK1212-8
库存 :
5614(起订量1,增量1)
批次 :
24+数量 :
X
7.73按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥7.73
--
100+
￥6.72
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750+
￥6.11
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1500+
￥5.88
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3000+
￥5.65
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30000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI7101DN-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 栅源极阈值电压 | 2.5V @ 250uA |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 35A(Tc) | 漏源导通电阻 | 7.2mΩ @ 15A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 52W(Tc) | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 35A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7.2 毫欧 @ 15A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 102nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3595pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 3.7W（Ta），52W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 | 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
SI7101DN-T1-GE3手册
SI7101DN-T1-GE3概述
SI7101DN-T1-GE3 产品概述
一、产品简介
SI7101DN-T1-GE3 是一款高性能 P 通道 MOSFET，专为高效功率控制和转换应用而设计。该器件由全球知名的电子元器件制造商 VISHAY（威世）生产，符合现代电子设计的严格要求，能够在各种苛刻的工作环境中保持卓越的性能。该产品采用特殊的 PowerPAK® 1212-8 封装，适合表面贴装（SMD）设计，具有良好的散热特性和抗机械应力能力，广泛应用于电源管理、马达驱动等领域。
二、关键规格
- 漏源电压（Vdss）: 该 MOSFET 的最大漏源电压为 30V，适合低压应用场景。
- 连续漏极电流（Id）: 在 25°C 时，器件的连续漏极电流可达 35A，提供稳定的电流输出，以满足高功率负载的需求。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 栅源极阈值电压为 2.5V @ 250µA，指示该 FET 需要较低的驱动电压以启动，从而提高了电路的效率和响应速度。
- 导通电阻（Rds(on)）: 在 10V 驱动电压下，15A 时的导通电阻为 7.2mΩ，确保低的功率损耗，同时降低热量产生，提高整体系统效率。
- 功率耗散: 在 25°C 环境下，器件的最大功率耗散为 52W（情况下为 Tc），意味着它能够在高负载条件下工作，而不至于过热。
三、工作特性
SI7101DN-T1-GE3 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，能够适应各种气候条件及工业应用环境。该 MOSFET 的设计充分考虑了高温和低温环境下的性能稳定性，确保其在极端条件下仍然能可靠运行。此外，它的栅极电荷（Qg）为 102nC @ 10V，意味着在开关时所需的驱动能量较低，有助于提高开关频率和系统效率。
四、应用领域
由于其出色的电气特性，SI7101DN-T1-GE3 特别适用于以下几个领域：
- 电源管理: 在 DC-DC 转换器和电源模块中，MOSFET 可用作开关元件，以提高效率和降低损耗。
- 马达控制: 用于电机驱动电路中，可以有效实现马达的启停、调速功能，保障电机在高负载时的稳定性。
- 负载开关: 在各种负载开关电路中，MOSFET 的低导通电阻和高电流能力使其成为理想的选择。
- 汽车电子: 满足汽车应用中对高可靠性和高效率的需求，适合用于汽车电源管理模块。
五、封装与安装
SI7101DN-T1-GE3 采用了 PowerPAK® 1212-8 的表面贴装封装。这种封装形式的设计使得元件占用的板空间更小，同时提供了优良的散热性能，适合高密度的电子产品设计。安装方便，适合自动贴装设备，提升生产效率。
六、总结
综上所述，SI7101DN-T1-GE3 是一款高性能的 P 通道 MOSFET，其设计旨在满足现代电子设备对功率、效率和稳定性日益增长的需求。凭借其低导通电阻、宽工作温度范围和良好的电气特性，该器件必将为用户提供一个可靠且高效的解决方案，适用于多种工业及消费电子应用。在追求高效能和高可靠性的现代电子设计中，SI7101DN-T1-GE3 将是一个优异的选择。