SI4190ADY-T1-GE3
SI4190ADY-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 18.4A |
| 栅源极阈值电压 | 2.8V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 8.8mΩ @ 15A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 3W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 18.4A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8.8 毫欧 @ 15A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 67nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1970pF @ 50V | 功率耗散（最大值） | 3W（Ta），6W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-SO | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
SI4190ADY-T1-GE3手册
SI4190ADY-T1-GE3概述
产品概述：SI4190ADY-T1-GE3 N沟道MOSFET
一、基本信息
SI4190ADY-T1-GE3是由著名电子元器件制造商VISHAY（威世）生产的一款高性能N沟道MOSFET，采用8-SOIC封装。这款MOSFET适用于多种应用，凭借其卓越的电气特性和可靠的性能，成为设计工程师在功率调节、电源管理及开关应用中的理想选择。
二、主要参数
- 漏源电压（Vdss）： 100V
- 连续漏极电流（Id）： 18.4A @ 25°C
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）： 2.8V @ 250μA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）： 8.8mΩ @ 15A, 10V
- 最大功率耗散（Pd）： 3W（Ta=25°C），6W（Tc）
- 工作温度范围： -55°C 到 150°C（TJ）
三、技术特点
SI4190ADY-T1-GE3是一款采用金属氧化物半导体技术（MOSFET）的场效应管。其N沟道的特性使得该器件在处理高功率应用时表现优异，具有较低的导通电阻和高电流处理能力，适用于要求高效能和稳定性的电源管理系统。
低导通电阻：该器件在15A电流和10V栅电压下的导通电阻达到8.8毫欧，这意味着它在开关状态下能够有效降低功率损耗，提高系统的整体效率。
高温性能：SI4190ADY-T1-GE3的工作温度范围从-55°C至150°C，确保其能在高温和恶劣环境下稳定工作，适合汽车、工业和航空航天等领域应用。
优越的阈值电压：在栅源阈值电压为2.8V的条件下，该器件能够在相对较低的栅电压下开启，优化了驱动需求，适合逻辑电平的应用。
高电流能力：该MOSFET在25°C时能够连续承受18.4A的漏极电流，能够满足高负载应用的需求，适合电源开关和直流电机驱动等场景。
四、应用场景
SI4190ADY-T1-GE3因其高效能和可靠性，广泛应用于以下领域：
- 电源管理：用于DC-DC转换器和稳压电源中，以提高效率和稳定性。
- 开关电源：在开关电源和逆变器中，提供高效率和低热损耗的解决方案。
- 电动工具：作为电动机驱动的开关元件，提升电动工具的性能与续航。
- 汽车电子：在汽车的电池管理系统和驱动控制中，保障功率转换的高效性。
五、封装与安装
SI4190ADY-T1-GE3采用8-SOIC封装，尺寸为0.154英寸（3.90mm宽），非常适合表面贴装型（SMD）电路板设计。此种封装形式使得器件具有较小的占用空间和更好的热管理特性，便于集成到高密度的电子设备中。
六、总结
SI4190ADY-T1-GE3是一款性能卓越的N沟道MOSFET，具备高效能、高温工作能力及低导通电阻特性，使其成为电子工程师在设计高性能电源系统和功率控制电路时的优选器件。凭借VISHAY（威世）的质量保障和技术支持，该产品将为用户带来可靠的性能和出色的应用体验。