SI4178DY-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
8-SO
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 2.4W；5W 30V 12A 1个N沟道 SOIC-8
库存 :
10000(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
1.16按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.16
--
100+
￥0.897
--
1250+
￥0.76
--
2500+
￥0.644
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI4178DY-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 12A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 2.8V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 21mΩ @ 8.4A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 5W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 21 毫欧 @ 8.4A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 12nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 405pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 2.4W（Ta），5W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-SO | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
SI4178DY-T1-GE3手册
SI4178DY-T1-GE3概述
SI4178DY-T1-GE3 产品概述
一、产品背景
SI4178DY-T1-GE3 是一款由威世（VISHAY）生产的高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其设计目标是满足高效能电子电路的需求。这款器件以其优越的电气特性和可靠性，广泛应用于电源管理、电动机驱动及各种高频开关应用中。
二、主要规格参数
- 漏源电压（Vdss）: 30V
- 连续漏极电流（Id）: 12A（在25°C的环境下，需考虑晶体管的结温）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 2.8V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 21mΩ @ 8.4A, 10V
- 最大功率耗散: 2.4W（环境温度 Ta=25°C），5W（结温 Tc）
- 驱动电压（Vgs）: 4.5V 和 10V（确保在这两个电压下 Rds(on) 的最小化）
- 输入电容（Ciss）: 405pF @ 15V
- 栅极电荷（Qg）: 12nC @ 10V
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 安装类型: 表面贴装型（SMD）
- 封装类型: 8-SOIC（标准封装）
三、应用领域
SI4178DY-T1-GE3 的设计使其特别适合以下几种典型应用:
- 开关电源（SMPS）: 其高效能特性使其能有效地在多种电源转换情况下工作，降低能量损失。
- 电动机驱动: 在电机驱动电路中，低导通电阻能够有效降低发热，提高整体能效。
- 线性稳压电源: 由于其低导通电阻和较宽的工作温度范围，适用于各类稳压器。
- 家用电器: 在家用电子产品中，能够提供稳定的开关和调节性能以确保设备正常运行。
- 通信设备: 适用于高频开关电路，能够提升信号的传输效率。
四、电气性能
SI4178DY-T1-GE3 MOSFET 的低导通电阻和高连续漏极电流使得它在高频应用中表现优异。其栅源阈值电压和栅极电荷特性，让其在驱动电路中保持较好的响应速度和控制能力，确保其快速切换的能力，适用于快速开关的需求。
当前的市场需求正在趋向于更高效能和更低功耗的电子元件，SI4178DY-T1-GE3 凭借其超高性能指标成为满足这一需求的理想选择。相较于传统组件，威世的这款 MOSFET 在功率损耗、热管理及整体电路性能方面展现了明显的优势。
五、封装与安装
SI4178DY-T1-GE3采用标准的8-SOIC封装，尺寸紧凑，适合表面贴装(SMD)技术，便于各种PCB设计中的集成，有助于提升自动化生产效率。同时，其设计确保了优秀的散热性能，适用于高热量及高功率输出的要求。
六、结论
综上所述，SI4178DY-T1-GE3 MOSFET凭借其卓越的电气性能与可靠性，成为现代高效能电子设备中不可或缺的核心元件。无论是在提升能效、降低发热，还是在高频应用中的快速响应方面，它都表现得淋漓尽致，是设计工程师在选择高性能MOSFET时的优先考虑选项。