SI3433CDV-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
6-TSOP
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
表面贴装型-P-通道-20V-6A（Tc）-1.6W（Ta）-3.3W（Tc）-6-TSOP
库存 :
17452(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
1.16按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.16
--
200+
￥0.897
--
1500+
￥0.78
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI3433CDV-T1-GE3参数
| 封装/外壳 | SOT-23-6细型，TSOT-23-6 | FET类型 | P沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 20V | 栅源电压 Vgss | ±8V |
| 安装类型 | 表面贴装(SMT) | FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 38 毫欧 @ 5.2A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 45nC @ 8V | Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1300pF @ 10V | 功率耗散（最大值） | 1.6W（Ta），3.3W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | 6-TSOP |
SI3433CDV-T1-GE3手册
SI3433CDV-T1-GE3概述
SI3433CDV-T1-GE3 产品概述
一、产品简介
SI3433CDV-T1-GE3 是一款由威世（VISHAY）公司生产的高性能P沟道MOSFET，采用细型SOT-23-6封装，特别设计用于表面贴装（SMT）应用。凭借其优越的电气性能和广泛的工作温度范围，该器件广泛应用于各种电子设备，包括电源管理、开关电路和汽车电子产品中。
二、关键参数
封装与外观：
- 封装类型：SOT-23-6细型，TSOT-23-6
- 器件尺寸小巧，适合现代电子产品对空间和重量的严格要求。
电气参数：
- FET 类型： P沟道
- 漏源极电压（Vdss）： 最高 20V，适合于较低电压电路的要求。
- 连续漏极电流（Id）： 在25°C环境温度下，最大可达6A（Tc），确保其在高负载情况下的稳定性。
- 栅源电压（Vgss）： 双向限制在±8V，保护器件免受过高的栅源电压损害。
- 导通电阻（Rds On）： 最大38毫欧（在5.2A，4.5V时），表明其在导通状态下能显著减少功耗。
- 栅阈值电压（Vgs(th)）： 最大值为1V（在250µA时），使得MOSFET能够在较低的控制电压下操作，从而提高了驱动的灵活性。
输入和输出特性：
- 输入电容（Ciss）： 最大1300pF（在10V时），表明其适合快速开关应用。
- 栅极电荷（Qg）： 最大值为45nC（在8V下），较低的栅极电荷可实现快速的开关操作，降低驱动电流需求。
- 功率耗散： 在环境温度下，其最大功率耗散可达1.6W，而在结温下则可达3.3W，适应于高功率应用场合。
工作环境：
- 工作温度范围： -55°C至150°C，意味着该器件能够在极端环境中可靠运行，非常适合汽车及工业应用。
三、主要应用领域
SI3433CDV-T1-GE3拥有出色的电气特性和可靠性，适用于以下应用领域：
- 电源管理：在电源开关电路中充当开关元件，提供高效的电源转换，从而提升整体能效。
- 汽车电子：可用于汽车电池管理系统、DC-DC转换器及其他控制电路，满足汽车行业对高温和可靠性的要求。
- 便携式设备：由于其小巧的封装和低导通电阻，适合用于移动设备及消费类电子产品。
- 工业控制：在各种工业自动化系统中，作为负载开关控制器，提升设备操作的灵活性和效率。
四、总结
SI3433CDV-T1-GE3凭借其出色的电气性能和广泛的应用领域，成为电子设计工程师的理想选择。其小型化的封装、低功耗特性以及宽广的工作环境，使它在当今高效能电源解决方案中占据一席之地。通过采用了该MOSFET，设计师可以期待其在各种应用中的卓越表现以及长期的可靠性。