SI2337DS-T1-GE3
SI2337DS-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 80V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 2.2A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 270mΩ @ 1.2A,10V |
| 类型 | P沟道 | 最大功率耗散（Ta=25°C） | 760mW |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.2A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 270 毫欧 @ 1.2A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 17nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 500pF @ 40V | 功率耗散（最大值） | 760mW（Ta），2.5W（Tc） |
| 工作温度 | -50°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
SI2337DS-T1-GE3手册
SI2337DS-T1-GE3概述
SI2337DS-T1-GE3 产品概述
基本参数与特性
SI2337DS-T1-GE3 是一款由威世半导体（VISHAY）制造的P沟道MOSFET，专为高效能和可靠的电源管理而设计。该产品具备最高80V的漏源电压（Vdss），能够承载高达2.2A的连续漏极电流（Id），使其适用于多种低功耗应用。该MOSFET在25°C时的功率耗散为760mW，而在更高的结温下（Tc=25°C），最大功率可达2.5W，这增强了其在严苛环境下的稳定性。
栅源极性能
在栅源极阈值电压方面，SI2337DS-T1-GE3 具有4V的阈值电压（Vgs(th)），在250µA的条件下确保了可靠的开启和关闭状态。此外，在不同的栅源极电压（Vgs）下，该MOSFET的漏源导通电阻（Rds(on)）最大值为270mΩ（在1.2A及10V下测量），表明其在启用时表现出较低的功率损耗，有助于提升系统的能效。
电气特性
SI2337DS-T1-GE3的栅极电荷（Qg）在10V下为17nC，进一步降低了驱动电路的负担，因此可与多种控制器搭配，为开关频率较高的应用提供良好的支持。此外，它的输入电容（Ciss）最大为500pF（在40V下测量），这为提高开关速度及系统响应时间提供了基础。在-50°C至150°C的广泛工作温度范围内，这款MOSFET可在多种工作环境中稳定运行，使其成为实现广泛应用的理想选择。
应用领域
得益于其优秀的电气特性和可靠性，SI2337DS-T1-GE3 更适用于电源管理电路、开关电源、LED驱动器、便携式设备和汽车电子等多个领域。无论是在低功耗的固定负载还是需要频繁切换的动态负载场景中，这款MOSFET均具有良好的适应性与表现。
封装及安装
该MOSFET采用了SOT-23-3（TO-236）封装设计，便于表面贴装（SMD），在PCB布局中提供了更高的空间利用率。SOT-23-3封装不仅体积小巧，而且能够有效地实现热管理，有利于增强元器件的散热性能。
总结
综合来看，SI2337DS-T1-GE3是一款高效、可靠且多功能的P沟道MOSFET，适合各类电源管理和开关应用。其在高电压和电流条件下的优异性能，使其成为设计工程师在复杂电路中进行设备选型时的优先考量。无论是对系统的功耗优化，还是在恶劣条件下的稳定运行，SI2337DS-T1-GE3均表现出色，体现了威世半导体在MOSFET产品设计及制造方面的卓越能力。