SI2315BDS-T1-E3
SI2315BDS-T1-E3参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 50 毫欧 @ 3.85A，4.5V |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A（Ta） | FET 类型 | P 通道 |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 715pF @ 6V | Vgs（最大值） | ±8V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 15nC @ 4.5V |
| 漏源电压（Vdss） | 12V | 功率耗散（最大值） | 750mW（Ta） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA |
SI2315BDS-T1-E3手册
SI2315BDS-T1-E3概述
SI2315BDS-T1-E3 产品概述
一、产品简介
SI2315BDS-T1-E3 是由威世（VISHAY）公司生产的一款高性能 P-channel MOSFET，具有出色的电气性能和温度稳定性。这款场效应管采用 SOT-23-3 (TO-236) 封装，设计上适用于表面贴装型（SMT），为电子设计中节省空间并简化组装提供了极大的便利。该 MOSFET 的额定最大功率为750mW，适用于12V的漏源电压（Vdss），可提供最高3A的连续漏极电流（Id）在25°C下，适合各种需要开关或放大功能的应用场景。
二、关键参数
导通电阻 (Rds On): 在3.85A和4.5V的条件下，导通电阻的最大值为50毫欧。这一特性确保了器件在导通状态下具有较低的功耗，减少了热损耗，提高了系统的整体效率。
驱动电压 (Vgs): SI2315BDS-T1-E3 在1.8V至4.5V的驱动电压下能够实现最佳的开关性能，这意味着它可以在较低的栅极电压下有效工作，适用于低电压应用。
输入电容 (Ciss): 当漏源电压为6V时，输入电容的最大值为715pF，提示出该器件在高频应用中的响应性能，适合快速开关的电子电路。
栅极电荷 (Qg): 在4.5V的栅极电压下，栅极电荷最大为15nC。这表示该 MOSFET 在栅极驱动信号变化时，所需的能量将相对较低，从而提高了工作频率，减小了开关损耗。
阈值电压 (Vgs(th)): 在250µA的漏电流下，Vgs(th) 的最大值为900mV，适合控制电路设计中施加开关信号的应用。
工作温度范围: SI2315BDS-T1-E3 的工作温度范围为-55°C至150°C，这使得它在恶劣环境条件下也能稳定工作，增强了系统的可靠性。
三、应用场景
SI2315BDS-T1-E3 P通道 MOSFET 由于其优秀的性能参数，适用于多种应用场景，包括但不限于：
- 功率开关：在电源管理和电池保护方案中，MOSFET 可用作开关或电子负载，以提高系统效率。
- 电机控制：适合电机驱动和控制电路的开关调节，利用其快速响应特性可以优化电机的性能。
- 音频放大器：低 Rds On 特性使得该器件可以应用于音频信号的开关，减少信号失真和能耗。
- 负载驱动：广泛应用于LED照明、电源模块以及各类负载驱动电路中，提高设备的工作效率与可靠性。
四、总结
SI2315BDS-T1-E3 作为威世公司的一款高效P沟道MOSFET，不仅具备了低导通电阻、优化的输入电容和栅极电荷等优越性能，还能在广泛的环境温度下稳定工作。因此，它尤其适合对功率密度和效率有较高要求的现代电子设备，是电源管理、负载开关和电机控制等领域的理想选择。通过合理设计与应用，SI2315BDS-T1-E3 将为产品的性能和稳定性提供强有力的保障。