SI1553CDL-T1-GE3
SI1553CDL-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 700mA,500mA |
| 栅源极阈值电压 | 1.5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 390mΩ @ 700mA,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 340mW | 类型 | N沟道和P沟道 |
| FET 类型 | N 和 P 沟道 | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 700mA，500mA | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 390 毫欧 @ 700mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1.8nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 38pF @ 10V | 功率 - 最大值 | 340mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 供应商器件封装 | SC-70-6（SOT-363） |
SI1553CDL-T1-GE3手册
SI1553CDL-T1-GE3概述
SI1553CDL-T1-GE3 产品概述
一、产品简介
SI1553CDL-T1-GE3 是一款高性能的场效应管（MOSFET），由知名电子元器件制造商 VISHAY（威世）推出。该器件在基本参数上设计合理，适用于各种常见电子设计需求，尤其在低功率及逻辑电平控制的应用中表现优异。本产品采用 SC-70-6 封装（或 SOT-363 封装），是一款适合表面贴装的器件，能够满足现代高密度电路板设计的需求。
二、主要特点
高效率与低功耗：SI1553CDL-T1-GE3 的最大漏源电压（Vdss）为 20V，最大功率耗散为 340mW，这使得该器件在中小功率应用中表现出高效率，同时降低了能量损失，有效改善整体系统性能。
优异的电流承载能力：在 25°C 下，连续漏极电流（Id）可达到 700mA（N沟道），500mA（P沟道），满足多种负载要求，适合进行高负载驱动。
快速开关特性：栅源极阈值电压（Vgs(th)）为 1.5V @ 250µA，结合其低导通电阻（390mΩ @ 700mA, 4.5V），使得 SI1553CDL-T1-GE3 在快速开关频率时能够有效地降低开关损耗，实现快速启停控制。
温度范围广：该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C （TJ），这使其适合在多种环境下的应用，包括汽车电子、工业控制和消费电子等领域。
小型化封装：SI1553CDL-T1-GE3 采用 SC-70-6 封装，尺寸紧凑，非常适合空间受限的应用场景。同时，省去了较大的散热需求。
逻辑电平兼容：产品具备逻辑电平门特性，易于与微控制器及数字电路相连接，简化了电路设计。
三、应用场景
SI1553CDL-T1-GE3 主要用于以下几个方面：
小功率开关电源：该 MOSFET 可用于 DC-DC 转换器、小型开关电源装置，以实现高效的能量转换。
逻辑电平电路：由于其兼容逻辑电平的特性，这款 MOSFET特别适合用于微控制器的驱动应用，如照明、继电器和电机驱动等。
电池管理系统：适用于电池充放电控制和保护电路，确保电池的安全、高效运行。
传感器和执行器：在传感器信号放大与处理、执行器驱动中发挥重要作用。
四、竞争优势
与市场上同类产品相比，SI1553CDL-T1-GE3 以其低导通电阻、高电流承载能力及宽广的工作温度范围，展现出出色的性价比和应用灵活性。此外，VISHAY 的品牌信誉及其完善的技术支持，也为客户的选择提供了更大的信心。
五、总结
SI1553CDL-T1-GE3 是一款功能强大、性能卓越的 MOSFET，适合应用于多种低功耗电子设备。其设计考虑了实际应用中的各种需求，具备优异的开关特性和热管理能力，使其在供电管理、驱动控制等领域具有良好的应用前景。整体而言，该产品的推出不仅丰富了 VISHAY 的 MOSFET 产品线，更为设计工程师提供了更多的选择与便利。