SDM10M45SD-7-F 产品实物图片
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SDM10M45SD-7-F

商品编码: BM0000283469
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT26
包装 : 
编带
重量 : 
0.054g
描述 : 
肖特基二极管 2对串联式 450mV@10mA 45V 100mA SOT-26
库存 :
6000(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
1.03
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.03
--
200+
¥0.793
--
1500+
¥0.69
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

SDM10M45SD-7-F参数

直流反向耐压(Vr)45V平均整流电流(Io)100mA
正向压降(Vf)450mV @ 10mA二极管配置2 对串联
二极管类型肖特基电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)45V
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管)100mA(DC)不同 If 时电压 - 正向 (Vf)450mV @ 10mA
速度小信号 =< 200mA(Io),任意速度不同 Vr 时电流 - 反向泄漏1µA @ 10V
工作温度 - 结-40°C ~ 125°C安装类型表面贴装型
封装/外壳SOT-23-6供应商器件封装SOT-26

SDM10M45SD-7-F手册

SDM10M45SD-7-F概述

SDM10M45SD-7-F 产品概述

SDM10M45SD-7-F 是一款高性能的肖特基二极管,专为满足现代电子设备对高效率和高频率的要求而设计。该器件采用SOT-26封装,适合表面贴装(SMD)应用,使得其在空间受限的电路中具有极大的适用性。以下将详细介绍该产品的主要特性、应用场景及技术优势。

1. 核心参数

  • 直流反向耐压(Vr): 该产品的最大直流反向耐压为45V,使其能够在多种电压条件下安全工作。
  • 平均整流电流(Io): 每个二极管的平均整流电流为100mA,能够满足大多数小信号应用的需求。
  • 正向压降(Vf): 在10mA的工作条件下,正向压降为450mV。这一低压降有助于提高整体电路效率,尤其在低电压和高频应用中表现尤为突出。
  • 反向漏电流: 在10V反向电压时,反向漏电流低至1µA,显示出优异的电流绝缘性能,适合高可靠性设备使用。
  • 工作温度范围: 器件的工作温度范围为-40°C至125°C,保证其在极端温度环境中依然稳定运行。

2. 设计与封装

该产品采用SOT-26封装,具有良好的热性能和电磁兼容性。其紧凑的尺寸使得在PCB布局时与其他元件更具灵活性,适合现代电子产品的小型化趋势。此外,组装过程中也能够提供良好的焊接性能,这对于高产率的生产线至关重要。

3. 应用场景

SDM10M45SD-7-F 可广泛应用于以下几个领域:

  • 电源管理: 由于其低正向压降和优良的反向特性,此二极管非常适合用作开关电源中的整流二极管,优化电源转换效率。
  • 充电线路和电池保护: 该器件能够在充电电路中提供保护,防止反向电流损害电池,增加系统的安全性。
  • 小信号整流: 在信号处理的应用中,如射频(RF)和高频信号整流,SDM10M45SD-7-F 可以有效地整流信号而不引入过多的额外损耗。
  • 快充技术: 随着快充技术的普及,对效率的要求日益提升,而该二极管正是满足这一需求的理想选择。

4. 技术优势

  • 高效能: 由于其优异的正向压降和低反向漏电流,SDM10M45SD-7-F 可有效提高系统的能效表现,降低总体能量损耗。
  • 高可靠性: 采用现代材料和技术制造,确保器件在各种工作环境下的长期可靠性,特别适合关键应用和严苛条件下的使用。
  • 友好的热特性: 广泛的工作温度范围和卓越的热管理能力,使其在不同的环境中均能保持稳定的性能。

5. 结论

综上所述,SDM10M45SD-7-F是一款具备低正向压降、出色的反向耐压和低反向漏电流的高性能肖特基二极管。其在电源管理、充电线路及小信号应用中的广泛适用性,使其成为现代电子设计不可或缺的元器件之一。选择DIODES的SDM10M45SD-7-F,您可以确保您的设计集成了高效、可靠的电流整流解决方案。