漏源电压(Vdss) | 30V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 24A |
栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 40mΩ @ 14A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 45W | 类型 | N沟道 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 24A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 40 毫欧 @ 14A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 15nC @ 4.5V | Vgs(最大值) | ±16V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 450pF @ 25V | 功率耗散(最大值) | 45W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-220AB | 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRL2703PBF 产品概述
概述 IRL2703PBF 是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由英飞凌(Infineon)公司推出。其设计旨在满足各种电力电子应用的需求,特别适合于开关电源、马达驱动和电池管理系统等领域。IRL2703PBF 丰富的功能和出色的电气性能使其在不同领域中都能表现卓越,能够为现代电子设备提供稳定的性能支持。
关键参数
漏源电压(Vdss): IRL2703PBF 的漏源电压范围为30V,这使其能够处理多种电压要求的应用。对于需要稳定和安全的电源管理方案,30V 的设计极大地降低了过压损坏的风险。
连续漏极电流(Id): 在25°C环境下,该器件能够承载24A的连续漏极电流,这使得它在大功率应用中表现出色。适合用于高电流开关,能够处理瞬时电流的需求。
导通电阻(Rds(on): 在10V栅源电压下,IRL2703PBF 的导通电阻为40毫欧(mΩ)@14A。这一特性使得MOSFET在开关状态下表现出极低的功耗,提高了系统的整体能效,减少了发热量,从而提高了系统的可靠性和使用寿命。
栅源极阈值电压(Vgs(th)): 该MOSFET的阈值电压为1V @ 250µA,适合于低电压驱动电路,能够在较低的控制信号下启用,减少了驱动电路复杂性。
栅极电荷(Qg): 在4.5V下,最大栅极电荷为15nC,这一特性使得其在高频开关操作中表现良好,提升了开关速度并降低了驱动功耗。
工作温度: IRL2703PBF 具有宽广的工作温度范围,从-55°C到175°C,提供了良好的适应性,能够在极端条件下正常工作,适合于各种恶劣环境中的应用。
封装: 该器件采用TO-220AB封装,具有良好的散热性能,适合于需要高功率散发的应用场景。通孔安装的特性使其在电路板上具有较强的兼容性。
应用领域 IRL2703PBF 的设计适合于广泛的应用场合,主要包括但不限于:
开关电源(SMPS): 由于其低导通电阻和高电流承载能力,IRL2703PBF 非常适用于高效的开关电源设计中,以提高整体转换效率。
马达控制: 在电动机驱动系统中,IRL2703PBF 可以有效地控制电流,确保马达平稳启动和运行。
电池管理系统(BMS): 在电池充放电应用中,优异的开关特性和宽温工作范围使其成为理想选择。
LED 驱动: 该MOSFET能够在高频率和高电流条件下稳定工作,广泛应用于LED照明驱动电路。
总结 IRL2703PBF 是一款具有卓越性能和多种应用潜力的N沟道MOSFET,凭借其高电流承载能力、低导通电阻和宽温工作范围,成为现代电力电子领域的重要组件。通过优良的热管理特性和兼容的封装设计,IRL2703PBF 可以满足各类高效能要求,为用户提供高可靠性的解决方案。在未来的电力电子技术发展中,IRL2703PBF将继续发挥其重要作用,为新一代电子产品的创新发展助力。