IRFP9140NPBF
IRFP9140NPBF参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 23A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 117 毫欧 @ 13A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 97nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1300pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 140W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247AC |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
IRFP9140NPBF手册
IRFP9140NPBF概述
IRFP9140NPBF 产品概述
概述
IRFP9140NPBF是一款高性能的P沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），属于Infineon（英飞凌）公司的一款优质产品。它专为高功率和高电压的应用而设计，能够在极端工作环境下提供卓越的性能。其额定漏源电压达到100V，连续漏极电流最大为23A，功率耗散可达到140W，结合其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C），使得IRFP9140NPBF成为工业、电力电子及汽车应用中理想的选择。
主要特点
高漏源电压：IRFP9140NPBF的漏源电压（Vdss）高达100V，确保其在各种高电压环境下的可靠性。这使得它非常适用于驱动电机、大功率开关电源、以及其他需要高电压控制的电子电路。
高电流承载能力：该MOSFET具有高达23A的连续漏极电流（Id），确保在需要大功率输出的应用中其性能依然稳定。尤其适合在高负载条件下的工作。
低导通电阻：在10V的栅极驱动电压下，IRFP9140NPBF的最大导通电阻（Rds On）为117毫欧，提供优秀的导电性能，降低了功耗和发热，提高了能源使用效率。
宽工作温度范围：其工作温度范围为-55°C至175°C，这使得IRFP9140NPBF能在极端的环境条件下稳定工作，非常适合汽车和工业设备。
快速开关特性：该器件在10V的栅极驱动电压下，最大栅极电荷（Qg）为97nC，确保在高频率操作时的快速响应能力，适合高频开关应用。
良好的输入电容特性：在25V时，输入电容（Ciss）为1300pF，保持了良好的输入匹配，帮助提高开关效率和系统性能。
应用场景
IRFP9140NPBF的设计使其广泛应用于多个领域，包括但不限于：
电源管理：它们常被用于开关电源、DC-DC变换器和不间断电源系统中，以其高电流和功率处理能力确保系统稳定。
马达驱动：在电动机控制和驱动电路中，由于其高电流能力和低导通电阻，这款MOSFET能够有效地驱动直流电机和步进电机。
电动汽车：IRFP9140NPBF被广泛应用于电动汽车的电池管理系统和驱动控制板中，以其高耐压和高温性能满足严格的汽车应用标准。
工业控制：在自动化设备和工业机器中，IRFP9140NPBF能够处理高功率负载，支持各类传感器与执行器的高效驱动。
封装信息
IRFP9140NPBF采用TO-247AC封装，封装类型为PG-TO247。这种封装设计提供了额外的散热能力，适合需要良好散热性能的高功率应用。封装内部采用通孔安装方式，便于PCB的布线与装配。
结论
综上所述，IRFP9140NPBF是一款性能优异的P沟道MOSFET，凭借其高电压、高电流、低导通电阻以及极广的温度范围，成为现代电子电路中不可或缺的关键元器件。其在电源管理、电动汽车、马达驱动等多个领域的应用，展现了其广泛的适用性和高效能，是高端应用的理想选择。无论是在要求严格的工业环境，还是在高效率电源设计中，IRFP9140NPBF都有着卓越的表现和可靠的性能。