FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 200V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 75 毫欧 @ 18A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 123nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2159pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 214W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247AC |
封装/外壳 | TO-247-3 |
IRFP250NPBF 是由英飞凌(Infineon)公司生产的一款高性能 N 通道金属氧化物场效应管(MOSFET)。该器件主要用于需要高统计电流及高电压的应用场合,比如电力转换、高频开关电源、电动机驱动和其他高功率电子设备。它在电气特性和热性能上都表现出色,适合于严苛的工作环境。
IRFP250NPBF 采用了 TO-247AC 封装,这是一种适合高功率和高电流应用的通孔封装,其结构设计有助于增强散热性能和电气连接的可靠性。TO-247AC 封装也易于安装,并且适合组装到各种 PCB 布局中。
IRFP250NPBF 广泛应用于以下领域:
综上所述,IRFP250NPBF 是一款适用于各种高功率、高电压场合的 MOSFET,其卓越的性能使其在现代电子设备中得到广泛应用,满足用户对高效率和高可靠性的严格要求。选择 IRFP250NPBF,将为您的电子设计带来出色的性能和优势。