IRFP064PBF
IRFP064PBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 70A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 9mΩ @ 7.8A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 300W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 70A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9 毫欧 @ 78A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 190nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 7400pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 300W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 | 封装/外壳 | TO-247-3 |
IRFP064PBF手册
IRFP064PBF概述
IRFP064PBF 产品概述
概述
IRFP064PBF 是一款由 VISHAY（威世）生产的高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。该器件专为高功率应用设计，具有优异的导通性能和低导通阻抗，使其在诸如电源管理、数码电子、工业驱动和电机控制等领域表现出色。其封装为 TO-247-3，使其在散热性能和电气连接上具有优势，适合用于苛刻的工作环境。
主要参数
- 漏源电压 (Vdss): 60V
- 连续漏极电流 (Id): 70A（Tc 时）
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 4V @ 250µA
- 漏源导通电阻 (Rds(on)): 9mΩ @ 7.8A, 10V
- 最大功率耗散: 300W（Tc=25°C）
- 工作温度范围: -55°C ~ 175°C
- 封装类型: TO-247-3
- 栅极电荷 (Qg): 190nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss): 7400pF @ 25V
- 驱动电压 (Vgs): ±20V
性能特点
IRFP064PBF 具备出色的导通电阻特性，这意味着在其工作时能量损耗低，效率高。9mΩ 的导通电阻保证了即使在高电流下，器件的功率损耗也保持在合理的范围内。此外，该器件的最大功率耗散可达 300W，使其适用于各种高功率应用。
栅源极阈值电压 (Vgs(th)) 为 4V，表明仅需较低的栅电压即可将 MOSFET 导通。这使它可以更轻松地与低电压控制电路配合使用，能够减少驱动电路的复杂性。
配置在 TO-247-3 封装中，IRFP064PBF 提供优良的热性能与机械强度，特别适合散热要求较高的应用。其封装设计使得 MOSFET 的热耗散能力得到提升，从而延长器件的使用寿命。
应用场景
IRFP064PBF 可广泛应用于各种工业、汽车和消费电子产品中，主要包括：
- 电源管理：适用于高效电源转换器，如DC-DC 转换器和逆变器，可以提供较高的转换效率，减少电源系统的整体能耗。
- 电机驱动：在直流电机、步进电机和伺服电机控制系统中，提供高效的控制能力，提升系统的整体性能。
- 开关电源：作为开关元件，用于高频开关电源设计，适合于高负荷应用条件，保持稳健的性能。
- 太阳能逆变器：在光伏发电系统中作为逆变器的核心元件，帮助实现从直流到交流的高效转换。
操作参数与特性
在环境温度为 25°C 时，IRFP064PBF 的漏极电流可高达 70A，这使其适合于各种需要高电流驱动的应用场合。该器件的工作温度范围广泛，可以在 -55°C 至 175°C 的极端条件下可靠运行，非常适用于严酷的工业环境。
结论
IRFP064PBF 是一款高效且可靠的 N 沟道 MOSFET，具备低导通电阻、杰出的功率处理能力和宽广的工作温度范围。它不仅适合广泛的应用需求，亦符合现代高效电子产品发展趋势的要求，确保在多种应用场景中都有出色表现。此器件无疑将在电力管理和电机控制等领域中发挥重要作用，帮助设计师实现高效能和高可靠性的电子解决方案。