IRFD110PBF
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
4-DIP（0.300"，7.62mm）
包装 :
管装
重量 :
0.56g
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.3W 100V 1A 1个N沟道 HVMDIP-4
库存 :
3(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
2.6按整 :
管(1管有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.6
--
100+
￥2
--
1250+
￥1.74
--
2500+
￥1.64
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25000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRFD110PBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 1A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 540mΩ @ 600mA,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.3W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 540 毫欧 @ 600mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 8.3nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 180pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 1.3W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | 4-DIP，Hexdip，HVMDIP | 封装/外壳 | 4-DIP（0.300"，7.62mm） |
IRFD110PBF手册
IRFD110PBF概述
IRFD110PBF 产品概述
1. 概述
IRFD110PBF是由Vishay（威世）制造的一款高性能N通道MOSFET，广泛应用于各种电子电路。其封装形式为4-DIP（0.300"，7.62mm），适合于传统的通孔安装，便于在各种电路板上实现嵌入式设计。该器件提供了高达100V的漏源电压（Vdss）和最高1A的连续漏极电流（Id），使其能满足多样化的应用需求。
2. 关键参数
- 漏源电压（Vdss）: 100V
- 连续漏极电流（Id）: 1A（在25°C时）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 4V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 540mΩ @ 600mA, 10V
- 最大功率耗散（Pd）: 1.3W @ Ta=25°C
- 工作温度范围: -55°C至175°C
- 最大栅源电压（Vgs）: ±20V
- 输入电容（Ciss）: 180pF @ 25V
- 栅极电荷（Qg）: 8.3nC @ 10V
该MOSFET采用了先进的金属氧化物半导体技术，能够以较低的导通电阻高效处理电流，提供良好的开关性能和热管理。
3. 应用领域
IRFD110PBF由于其优越的电气特性，经常用于各类电子产品和电路设计，包括但不限于：
- 开关电源: 利用其高电压和电流能力，可用于DC-DC 转换器的开关元件。
- 电机驱动电路: 在各种电机驱动应用中作为开关元件，控制电机的启停和转速。
- 功率放大器: 在RF放大器和音频放大器中，作为输出级MOSFET，能有效处理信号。
- 自动化控制电路: 可用于各种固态继电器和逻辑转换电路中，以实现快速开关控制。
4. 性能优势
- 高温工作能力: 随着工作温度范围的扩大，IRFD110PBF在高温环境下的性能稳定性使其能适应严苛的应用环境。
- 低导通电阻: 较低的Rds(on)值保证了MOSFET在导通状态下能量损耗低，从而提高系统的能效并降低系统发热。
- 快速开关特性: 不同Vgs条件下的低栅极电荷（Qg）意味着其开关速度快，能够有效改善转换效率，对高频应用尤为重要。
5. 封装与安装
IRFD110PBF采用的4-DIP封装形式不仅具有良好的散热能力，还能简单地进行电路板的设计与组装，有效节省空间并优化集成度。此外，四脚的布局使得与其他电子元件的连接更加便利，大大提高了电路设计的灵活性。
6. 结论
IRFD110PBF是Vishay推出的一款性能卓越的N通道MOSFET，适用于电源管理及控制领域中的多种应用。得益于其高漏源电压、低导通电阻、良好的热稳定性及适应高温环境的能力，使其成为了工程师和设计师在选择电子元件时的理想选择。这款MOSFET凭借高可靠性和广泛的适用性，能够帮助客户在制造和设计过程中实现更高的效率与质量。