IRFB4227PBF
IRFB4227PBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 200V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 65A |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 24mΩ @ 46A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 330W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 65A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 24 毫欧 @ 46A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 98nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4600pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 330W（Tc） |
| 工作温度 | -40°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB | 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRFB4227PBF手册
IRFB4227PBF概述
IRFB4227PBF 产品概述
IRFB4227PBF 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，广泛应用于电力电子领域。该产品由知名半导体制造商英飞凌（Infineon）生产，专为高压、高电流需求的电力转换应用而设计。其封装型号为 TO-220AB，以其出色的热性能和散热能力而受到广泛青睐，适用于各种工业和消费类电子设备。
主要性能参数
漏源电压（Vdss）: IRFB4227PBF 具备 200V 的漏源电压，适应高压工作环境。这一参数使其能够在许多应用中正常运行，尤其是在电源管理和高压转换电路中非常关键。
连续漏极电流（Id）: 在 25°C 的环境温度下，IRFB4227PBF 的连续漏极电流能力高达 65A，确保其在高负载条件下的稳定性与可靠性。因此，该 MOSFET 适合用于高功率密度的驱动和转换应用。
导通电阻（Rds(on)）: 在 10V 的栅极驱动电压下，IRFB4227PBF 的漏源导通电阻仅为 24mΩ @ 46A。这一低导通电阻显著减少了功率损耗，提高了工作效率，使其在高效率和低热量的需求中表现突出。
阈值电压（Vgs(th)）: 该器件的栅源极阈值电压为 5V @ 250µA，表明其具有较低的开启阈值，非常适合与大多数驱动电路兼容。
输入电容（Ciss）: 在 25V 下，IRFB4227PBF 的输入电容为 4600pF，这个数值能够在高频应用中提供良好的动态响应。
栅极电荷（Qg）: 在 10V 下，器件的栅极电荷为 98nC，为快速开关操作提供了必要的驱动能力。较低的栅极电荷使得它能够以更高的频率工作，适合于开关电源和马达驱动等快速开关应用。
工作温度范围: IRFB4227PBF 的工作温度范围为 -40°C 到 175°C，能够在极端环境下稳定工作，确保工业应用的可靠性。
功率耗散: 该器件的最大功率耗散为 330W，这使得其能够在高功率应用中有效应对热设计问题。
应用领域
IRFB4227PBF 被广泛应用于不同的电源管理解决方案，包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）
- 嵌入式电源模块
- DC-DC 转换器
- 电机驱动模块
- 太阳能逆变器
- 电子车充电器
由于其高功率密度和效率，这款 MOSFET 在电动汽车、工业控制、电力转换器和消费电子等领域都获得了广泛应用。它能够满足现代电子设备日益增长的效率和性能需求。
总结
IRFB4227PBF 是一款兼具优良电气性能和强大功率处理能力的 N 沟道 MOSFET，具有广泛的适用性和高效能。凭借其可靠的性能、高速开关能力和卓越的热稳定性，IRFB4227PBF 在当今快速发展的电子行业中，成为了高效电源设计中不可或缺的关键元件之一。对任何寻求在高电压、高电流环境中实现高效能和可靠性的电源设计工程师来说，它无疑是一个理想的选择。