IRF9321TRPBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IRF9321TRPBF

商品编码: BM0000283429
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
SO-8
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2.5W 30V 15A 1个P沟道 SOIC-8
库存 :
16278(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
1.81
按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.81
--
100+
¥1.45
--
1000+
¥1.29
--
2000+
¥1.22
--
4000+
¥1.16
--
24000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRF9321TRPBF参数

FET 类型P 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)30V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)15A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)7.2 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.4V @ 50µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)98nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2590pF @ 25V
功率耗散(最大值)2.5W(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装8-SO
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

IRF9321TRPBF手册

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IRF9321TRPBF概述

产品概述:IRF9321TRPBF

1. 概要

IRF9321TRPBF 是一款高性能 P 通道 MOSFET(场效应晶体管),专为高效能和高可靠性应用而设计。其主要特性包括:最大漏源电压(Vdss)为 30V,连续漏极电流(Id)达到 15A,适用于多种功率控制和开关应用。此器件由知名半导体制造商英飞凌(Infineon)生产,具有优良的电气性能和广泛的应用适应性。

2. 技术参数

  • 通道类型:P通道,适合用于低侧开关和高电流应用。
  • 技术:采用金属氧化物场效应管(MOSFET)技术,在低栅压驱动情况下,表现出优秀的导通特性。
  • 漏源电压 (Vdss): 30V,可在高电压环境下稳定工作。
  • 最大连续漏极电流 (Id): 15A,具备足够的能力满足多种负载要求。
  • 最小和最大 Rds(on):在 Vgs 为 10V 时,最大导通电阻为 7.2 毫欧,确保低的功耗和发热。
  • 阈值电压 (Vgs(th)):最大值为 2.4V @ 50µA,使其能够在较低的栅极驱动电压下启动。
  • 输入电容 (Ciss):最大值为 2590pF @ 25V,适合高速开关操作。
  • 栅极电荷 (Qg):最大值为 98nC @ 10V,表示开关响应速度快,同时影响驱动电源的设计。
  • 最大功率耗散:2.5W(Ta),确保在高温条件下可靠工作。
  • 工作温度范围:-55°C 到 150°C (TJ),适合严苛的环境条件。
  • 安装类型:表面贴装型(SMD),符合现代电路设计需求。

3. 结构与封装

IRF9321TRPBF 采用 SO-8 封装,尺寸为 0.154“(3.90mm 宽),便于在电路板上进行高密度集成。SO-8 封装的设计不仅有助于减少占板空间,同时也优化了散热特性,为产品的稳定性和可靠性提供支撑。

4. 应用领域

IRF9321TRPBF 由于其低导通电阻和高电流能力,广泛应用于以下领域:

  • 电源管理:在 DC-DC 转换器、开关电源和逆变器中作为开关元件,提高整体能效。
  • 电机驱动:适用于直流电机控制,确保高速和高效率的操作。
  • 消费电子:用于智能手机、平板电脑等设备的电源管理系统。
  • 汽车电子:适合用于电动汽车的电源模块,提供高效的电力转换及控制。
  • 工业控制:在自动化设备中作为信号开关,支持高负载的控制需求。

5. 结论

IRF9321TRPBF 是一款功能强大且高效的 MOSFET 组件,结合其优秀的电气特性和广泛的应用范围,成为现代电子设备中不可或缺的部分。无论在高电流、高效率的电源管理,还是在快速开关应用中,IRF9321TRPBF 都能发挥其无可替代的优势。选择英飞凌的 IRF9321TRPBF,将为您的设计项目带来可靠性与性能的双重保障。