FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 15A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 7.2 毫欧 @ 15A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 50µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 98nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2590pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 2.5W(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SO |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
IRF9321TRPBF 是一款高性能 P 通道 MOSFET(场效应晶体管),专为高效能和高可靠性应用而设计。其主要特性包括:最大漏源电压(Vdss)为 30V,连续漏极电流(Id)达到 15A,适用于多种功率控制和开关应用。此器件由知名半导体制造商英飞凌(Infineon)生产,具有优良的电气性能和广泛的应用适应性。
IRF9321TRPBF 采用 SO-8 封装,尺寸为 0.154“(3.90mm 宽),便于在电路板上进行高密度集成。SO-8 封装的设计不仅有助于减少占板空间,同时也优化了散热特性,为产品的稳定性和可靠性提供支撑。
IRF9321TRPBF 由于其低导通电阻和高电流能力,广泛应用于以下领域:
IRF9321TRPBF 是一款功能强大且高效的 MOSFET 组件,结合其优秀的电气特性和广泛的应用范围,成为现代电子设备中不可或缺的部分。无论在高电流、高效率的电源管理,还是在快速开关应用中,IRF9321TRPBF 都能发挥其无可替代的优势。选择英飞凌的 IRF9321TRPBF,将为您的设计项目带来可靠性与性能的双重保障。