IRF7416TRPBF
IRF7416TRPBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 10A |
| 栅源极阈值电压 | 2.04V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 20mΩ @ 5.6A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2.5W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 20 毫欧 @ 5.6A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 92nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1700pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-SO | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
IRF7416TRPBF手册
IRF7416TRPBF概述
IRF7416TRPBF 产品概述
产品简介
IRF7416TRPBF 是一款高性能的 P 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由著名半导体制造商 Infineon（英飞凌）生产。该器件封装为 SO-8 形式，提供了极小的占板面积，适用于各种表面贴装应用。IRF7416TRPBF 的主要规格包括最大漏源电压 30V、最大连续漏极电流 10A 和最大功率耗散 2.5W，使其成为高效家电、工业控制和电源管理系统的理想选择。
技术规格
漏源电压 (Vdss): 30V，这使得该 MOSFET 能够在高达 30V 的应用环境中安全工作，适合多种电气方案。
连续漏极电流 (Id): 在 25°C 条件下可达 10A，确保了该器件在高负载情况下的稳定性与可靠性。
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 标称值为 2.04V @ 250µA，表明该器件在较低的栅源电压下能够导通，便于与低电压控制电路兼容。
漏源导通电阻 (Rds(on)): 最大值为 20毫欧 @ 5.6A，10V，出色的导通性能减少了在导通状态下的功耗，提升了系统的整体效率。
最大功率耗散: 在 25°C 条件下最大为 2.5W，保证了在高功率应用中可以有效管理热量。
工作温度范围 (TJ): 从 -55°C 到 150°C，允许器件在极端环境下可靠工作，适合各种应用场景。
电气特性
IRF7416TRPBF 的其他电气特性包括：
驱动电压: 最小 Rds(on) 和最大 Rds(on) 分别为 4.5V 和 10V，使得设计人员能够根据系统要求灵活选择驱动电压。
栅极电荷 (Qg): 最大值为 92nC @ 10V，低栅极电荷意味着在开关操作时更高的效率以及快速的开关时间。
输入电容 (Ciss): 最大值为 1700pF @ 25V，保证在射频和快速开关应用中能够减少交越延迟，提升性能。
Vgs (最大值): ±20V 的最大栅源电压范围，防止过电压对器件造成损坏。
应用
IRF7416TRPBF 特别适用于多种应用领域，包括但不限于：
电源管理: 用于 DC-DC 转换器和适配器中，能够在高负载下低损耗工作。
电机控制: 可以作为高速开关在电机驱动电路中工作，优化电机效率和响应性。
音频设备: 高效的放大器开关，使得音频设备可以实现更低的失真和更高的音质输出。
家电: 可用于智能家居和家电产品的功率开关，提升能效和安全性。
封装与安装
IRF7416TRPBF 采用业界标准的 SO-8 封装，尺寸紧凑，为表面贴装型设计，适合流行的 PCB 布局，降低占板面积，便于自动化焊接。
总结
总的来说，IRF7416TRPBF 是一款功能强大且高度可靠的 P 沟道 MOSFET IC，其设计和规格使其能够在众多应用中表现优异。无论是用于高效电源管理，还是在电机控制和音频设备中，IRF7416TRPBF 都为设计人员提供了出色的解决方案。凭借 Infineon 的高质量制造和严格的测试标准，它为电子设备的长寿命和稳定性提供了保障。