IRF7105TRPBF
IRF7105TRPBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 25V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 3.5A,2.3A |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 100mΩ @ 1A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2W | 类型 | N沟道和P沟道 |
| FET 类型 | N 和 P 沟道 | FET 功能 | 标准 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.5A，2.3A | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 100 毫欧 @ 1A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 27nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 330pF @ 15V | 功率 - 最大值 | 2W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商器件封装 | 8-SO |
IRF7105TRPBF手册
IRF7105TRPBF概述
IRF7105TRPBF 产品概述
IRF7105TRPBF 是一款由著名电子元器件制造商英飞凌（Infineon）生产的高性能功率场效应管（MOSFET），其主要应用于各种电力电子设备中，特别是需要控制高电流和电压的场合。该器件采用了标准的 EIA-481 封装形式，称为 SO-8，这是当前广泛采用的一种表面贴装封装类型，适合于现代紧凑型电路设计。
主要参数与特性
IRF7105TRPBF 的额定漏源电压为 25V，使其能够在多种低压应用中使用。值得注意的是，其连续漏极电流（Id）在 25°C 环境温度下达到了 3.5A（N沟道）、2.3A（P沟道），提供了很好的驱动能力，能够满足大部分普通功率转换应用的需求。
这款 MOSFET 的导通电阻（Rds(on)）在 10V 的栅极驱动下为 100mΩ @ 1A，具有很好的导电性能，能够有效地降低功率损耗，提高系统的效率。较低的导通电阻意味着在高频率开关操作时可以显著减少热量产生，这对提高整体系统的可靠性至关重要。
工作温度范围
IRF7105TRPBF 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C，使其适用于在极端条件下工作的工业和汽车应用。广泛的温度范围使得这一产品在高温和低温环境中均可保持稳定的性能，并能够承受较大的温度变化。
栅极阈值电压与电荷特性
该组件的栅源极阈值电压（Vgs(th)）在 250µA 电流条件下为 3V。栅极电荷（Qg）为 27nC @ 10V，是理解该 MOSFET 开关特性的重要参数。较小的栅极电荷意味着更快速的开关速度，适合高频开关电源和驱动电路的需求。
输入电容及功率耗散
IRF7105TRPBF 的输入电容（Ciss）在 15V 时为 330pF，较低的输入电容有助于提高开关速度并减少开关损失。同时，该器件在 25°C 时的最大功率耗散为 2W， reflecting its capability to handle significant amounts of heat generated during operation without additional cooling mechanisms.
应用领域
由于 IRF7105TRPBF 提供的优异性能，这款 MOSFET 被广泛用于汽车电子、工业电源供应、DC-DC 转换器、马达驱动、电池管理系统及其他需要高效率、低热量生成的电力管理应用中。在频繁变化的负载条件下，这款 MOSFET 能够保持稳定的性能，其高可靠性和经济性使其成为设计工程师的理想选择。
总结
综合以上特点，IRF7105TRPBF 是一款功能强大的双MOSFET解决方案，结合了N沟道和P沟道的优点，适合面向多种应用场景，能够高效处理功率需求。作为电子元器件设计中不可或缺的组成部分，其卓越的性能和广泛的适用性为用户提供了更多的设计灵活性，是实现高效率电子电路的理想选择。