IRF5210STRLPBF
IRF5210STRLPBF参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 38A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 60 毫欧 @ 38A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 230nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2780pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 3.1W（Ta），170W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D2PAK |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
IRF5210STRLPBF手册
IRF5210STRLPBF概述
IRF5210STRLPBF 产品概述
概述
IRF5210STRLPBF 是一款高性能 P 型 MOSFET（场效应晶体管），由英飞凌（Infineon）公司制造。该器件具有优异的电流处理能力、低导通电阻和广泛的工作温度范围，使其广泛适用于各种高效电源管理、开关电路以及其它需要高功率处理的应用。
主要参数
- FET 类型: P 通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）: 100V
- 连续漏极电流（Id）: 38A（在 25°C 时）
- 栅极驱动电压: 最大 Rds On 和最小 Rds On 为 10V
- 导通电阻（Rds(on)）: 最大值为 60 毫欧 (在 38A 和 10V 条件下)
- 开启电压（Vgs(th)）: 最大值 4V @ 250µA
- 栅极电荷（Qg）: 最大值为 230nC @ 10V
- 输入电容（Ciss）: 最大值为 2780pF @ 25V
- 功率耗散: 最大值 3.1W（环境温度），170W（结温）
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C
- 封装类型: D2PAK
应用领域
IRF5210STRLPBF 的设计使其适合多个行业的各种应用，具体包括但不限于：
电源管理: 由于其高效的电流处理和低导通电阻，此 MOSFET 可用于开关电源、DC-DC 转换器和其他电源管理设备。
电机驱动: 在电机控制应用中，IRF5210STRLPBF 能够提供快速开关能力，以提高电机的效率和响应速度。
电池管理系统: 该器件的低导通电阻和高电流能力使其在电池充放电过程中表现出色，有助于提高整体系统效率。
工业控制: 由于宽广的工作温度范围，IRF5210STRLPBF 能够在恶劣的环境条件下正常工作，保证工业自动化设备的稳定性和可靠性。
性能优势
高功率密度: IRF5210STRLPBF 能够在高功率下运行，对散热要求较高的应用尤为适合。其最大功率耗散可达170W，确保在高负载情况下仍能稳定工作。
低导通电阻: 其导通电阻最大值为60毫欧，使得在高电流流通时也能保持较低的能量损耗，提高整体效率。
高工作温度: 该器件可在-55°C 至 150°C 的温度范围内稳定运行，能够适应各种极端工作环境，保障设备的可靠性和耐久性。
封装与安装
IRF5210STRLPBF 采用 D2PAK 封装，具有优良的热管理性能。表面贴装的设计使得其在生产过程中便于自动化组装并且节省空间，从而适用于需要紧凑布局的电路设计。
结论
IRF5210STRLPBF 是一款高效、可靠的 P 型 MOSFET，凭借其优越的性能和广泛的应用潜力，适用于需要高功率和高效率的电源管理、电机控制和其它工业应用。英飞凌的丰富经验和可靠的产品质量，使得该产品成为设计工程师在其电路设计中优先考虑的选择。无论是在消费电子、工业自动化还是电动车辆市场，IRF5210STRLPBF 都展示出其重要的应用价值。