IPW60R060P7XKSA1
IPW60R060P7XKSA1参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 48A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 60 毫欧 @ 15.9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 800µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 67nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2895pF @ 400V |
| 功率耗散（最大值） | 164W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | PG-TO247-3 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
IPW60R060P7XKSA1手册
IPW60R060P7XKSA1概述
IPW60R060P7XKSA1 产品概述
产品名称: IPW60R060P7XKSA1
制造商: Infineon Technologies
封装类型: TO-247-3
产品背景
IPW60R060P7XKSA1 是一款高性能的单 N 通道 MOSFET，专为高压应用而设计。作为CoolMOS™技术的一部分，该器件提供了出色的电力转换效率和高结温下的强大性能。其独特的结构和材料，使得产品在电源管理、开关电源、工业和消费类电子设备等多个领域得到了广泛应用，满足不断增长的能效和可靠性需求。
主要规格参数
漏源电压 (Vdss): 600V
IPW60R060P7XKSA1 具备高达600V的漏源电压，能够应对严苛的电压环境，适用于高压开关电源和其他相关应用。连续漏极电流 (Id): 48A @ 25°C
其在25°C环境下可承载连续48A的漏极电流，适合高负载应用。导通电阻 (Rds On): 60毫欧 @ 10V, 15.9A
在10V的驱动电压下，器件展现出最低60毫欧的导通电阻，意味着在工作期间的功率损耗极小，有助于提高效率并减少散热需求。栅极电压 (Vgs): 最大 ±20V
为适应不同的电路要求，器件支持高达 ±20V 的栅极电压，使其能够在各种驱动条件下工作稳定。输入电容 (Ciss): 2895pF @ 400V
该元件在400V时的输入电容为2895pF，允许其快速响应，提高开关频率，从而增强整体系统性能。工作温度范围: -55°C ~ 150°C
IPW60R060P7XKSA1 的封装设计使其在极端温度下保持稳定性能，适应工业应用中的严苛环境。功率耗散: 最大164W @ Tc
该器件可以承受最大的功率耗散为164W，适合高功率应用并且能良好控制温度。栅极电荷 (Qg): 67nC @ 10V
低栅极电荷意味着器件在开启和关闭时的快速切换能力，使其非常适合高频率的开关操作。
应用场景
因其优越的性能参数，IPW60R060P7XKSA1 可广泛用于以下领域：
- 开关电源: 提供高效的能量转换，适用于电源适配器、计算机电源和其他电子设备。
- 电机驱动: 适合驱动大功率电机及高频开关控制的应用。
- 工业控制: 在工业自动化及相关系统中，作为开关元件提供可靠的控制。
- 逆变器和电能转换器: 可用于可再生能源系统如光伏和风能转换，为能量利用提供优化解决方案。
总结
IPW60R060P7XKSA1 是一款结合高电压、高电流和低导通电阻特性的MOSFET，凭借其优越的性能结构和宽广的应用领域，成为现代电力电子设计中不可或缺的元件之一。无论是在追求卓越能效的消费者设备，还是在工业应用中的电力管理，IPW60R060P7XKSA1 均能提供可靠且高效的表现。通过合理的设计方案和选择，用户能够最大限度地发挥其性能优势，保障电力系统的高效、安全与稳定。