额定功率 | 300mW | 集电极电流Ic | 150mA |
集射极击穿电压Vce | 50V | 晶体管类型 | 2 NPN(双) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 150mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 400mV @ 5mA,50mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 120 @ 1mA,6V | 功率 - 最大值 | 300mW |
频率 - 跃迁 | 180MHz | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
供应商器件封装 | SMT6 |
IMX2T108是一款高性能的NPN双晶体管,专为表面贴装应用设计,采用SC-74/SOT-457封装。这款三极管具有额定功率300mW,最大集电极电流为150mA,以及高达50V的集射极击穿电压(Vce)。IMX2T108广泛应用于开关电路、信号放大、驱动电路及其他电子设备中,是多种应用场景的理想选择。
额定功率: IMX2T108的额定功率为300mW,能够在小型化设计中提供足够的功率处理能力,适合消费电子、汽车电子和工业控制等领域。
集电极电流(Ic): 此晶体管的最大集电极电流为150mA,允许其支持较高的负载电流,适合用于驱动电路和功率放大器。
集射极击穿电压(Vce): 最大集射极击穿电压为50V,能够保证在一定电压范围内稳定工作,减少因过电压导致的元件损坏风险。
饱和压降: 在不同的基极电流(Ib)和集电极电流(Ic)下,IMX2T108在5mA和50mA时的饱和压降最大为400mV。这一特性确保了在开关操作中良好的效率,降低了功耗。
电流截止: 其最大集电极截止电流为100nA,这一低值确保了其在关闭状态下几乎没有漏电流,提高电路的整体效率。
电流增益(hFE): 在1mA集电极电流和6V电压条件下,IMX2T108的DC电流增益(hFE)最小值为120,提供了良好的放大能力,使其在信号处理方面表现出色。
频率响应: 此系列产品具备高达180MHz的跃迁频率,能够满足快速信号处理需求,适用于高频应用。
工作温度范围: IMX2T108的工作温度高达150°C(TJ),使其在极端环境中也能稳定运行,适合高温条件下的应用。
封装与安装: 该产品采用表面贴装(SMT)技术,封装类型为SMT6,能够有效节省PCB空间,并简化自动化焊接过程,提升生产效率。
IMX2T108适用于各种电子设备的应用,具体包括但不限于:
IMX2T108是一款具备卓越性能的NPN双晶体管,凭借其高功率处理能力、出色的电流控制特性以及广泛的应用灵活性,成为众多电子设计中的重要组成部分。其设计不仅满足了现代电子产品对体积小、效率高的需求,还保持了良好的稳定性,适应了不同的工作环境。在追求性能与可靠性的同时,IMX2T108展示了ROHM(罗姆)品牌在晶体管领域的深厚实力,为客户提供了可信赖的器件选择。