IMH23T110
IMH23T110参数
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 | 晶体管类型 | 2个NPN预偏压式（双） |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 20V | 集电极电流Ic（最大值） | 600mA |
| 电流放大倍数hFE（最小值） | 820@50mA，5V | 功率（最大值） | 300mW |
| 安装类型 | 表面贴装(SMT) | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 600mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 20V | 电阻器 - 基极 (R1) | 4.7 千欧 |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 820 @ 50mA，5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 150mV @ 2.5mA，50mA |
| 频率 - 跃迁 | 150MHz | 功率 - 最大值 | 300mW |
| 供应商器件封装 | SMT6 |
IMH23T110手册
IMH23T110概述
IMH23T110 产品概述
一、产品简介
IMH23T110 是一款由日本 ROHM（罗姆）公司生产的数字晶体管。它封装在表面贴装型 (SMT) 的 SC-74 和 SOT-457 封装中，具有两个 NPN 预偏压式晶体管。该产品专为低功耗应用而设计，广泛应用于数字电路、功率控制、开关电源等领域。
二、关键参数
- 封装/外壳类型：SC-74，SOT-457
- 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压晶体管
- 集射极击穿电压（最大值）：20V
- 集电极电流（Ic）（最大值）：600mA
- 电流放大倍数（hFE，最小值）：820 @ 50mA，5V
- 功率（最大值）：300mW
- 工作频率：高达 150MHz
- 饱和压降（最大值）：150mV @ 2.5mA，50mA
三、技术特点
高电流增益： IMH23T110 在 50mA 和 5V 的条件下提供最低 820 的电流增益（hFE），这使其在需要高增益的应用中表现出色。
耐压能力： 最大集射极击穿电压为 20V，适合多种低电压数字电路应用，确保在常见的工作条件下能可靠运行。
高频特性： 该器件具备理论上高达 150MHz 的工作频率，使其适合高频信号处理应用。它可以有效地应用在开关控制、无线电频率电路及其它对速度敏感的场合。
低饱和压降： IMH23T110 在 2.5mA 和 50mA 时的饱和压降最大为 150mV，表明其在驱动负载时的能量损耗极低，有助于提升系统整体的能源利用效率。
表面贴装设计： 采用 SMT 封装，不仅实现了小型化设计，还能够提高电路板的密度和减少组装成本。
四、应用领域
IMH23T110 适用于多种电子应用场景，尤其在需要快速开关操作和高增益的电路中表现优异。以下是一些主要应用领域：
数字电路： 在低电压数字电路中，IMH23T110 可用作开关元件，提高电路的灵活性和效率。
功率管理： 在电源管理系统中，使用其高升幅特性，可以有效地调节电源输出。
信号放大： IMH23T110 的高电流增益特性使其适合用作信号放大器，能够在数据传输中保持信号强度。
开关控制： 此外，IMH23T110 还可以实现在控制电机、继电器等设备时的快速开关，适合各类控制和执行单元。
五、总结
IMH23T110 作为 ROHM 公司推出的一款高性能数字晶体管，凭借其双 NPN 结构、优越的电流增益能力、良好的耐压特性和极低的饱和压降，成为了众多电子设备设计师的首选组件。其广泛的应用范围，无论是在家电、消费电子、还是专业设备中，都展示了出色的性能与可靠性。
本产品所采用的 SMT6 封装形式，不仅便于自动化生产，还适应现代电子设计日益增强的空间限制要求。无论是新产品设计，还是现有产品更新，IMH23T110 都是一款理想的晶体管解决方案，期待它在未来的发展中为更多创新做出贡献。