关断延迟时间(Td(off)) | 165ns | 关断损耗(Eoff) | 0.12mJ |
功率(Pd) | 250W | 反向恢复时间(Trr) | 62ns |
商品分类 | IGBT管/模块 | 导通损耗(Eon) | 0.39mJ |
工作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) | 开启延迟时间(Td(on)) | 22ns |
栅极电荷(Qg@Ic,Vge) | 95nC@40A,15V | 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic) | 4V@400uA |
正向压降(Vf@If) | 1.45V@20A | 输入电容(Cies@Vce) | 2.5nF@25V |
集射极击穿电压(Vces) | 650V | 集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge) | 1.65V@40A,15V |
集电极电流(Ic) | 74A |
引言
在现代电力电子中,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)因其高效能和良好的开关特性,广泛应用于各种电源转换及电机驱动系统。IKW40N65H5是由英飞凌(Infineon)公司推出的一款高性能IGBT管,具有先进的设计和卓越的性能特点,适用于各种工业和民用电力电子应用。
产品基本信息
IKW40N65H5的基本参数包括:
性能特点
高电压和电流承载能力:IKW40N65H5的650V的额定电压,使其能够在相对高的电压环境中稳定运行。这使得它适合于高电压应用,如光伏逆变器和工业自动化设备。其20A的持续电流和74A的脉冲电流能力,为系统设计师提供了灵活的应用选择,同时保持了高效的功率传输。
低导通压降:该型号在20A电流下,导通压降为1.45V,这意味着在正常工作状态下,器件的功率损耗较低。这一特性对于要求高效能的应用(例如DC-DC转换器和逆变器)尤为重要,关乎整体系统的能效表现。
优秀的开关特性:IKW40N65H5具备较快的开关速度和优良的动态特性,能够在高频开关条件下表现出色,适合用于高频转换应用,提升了系统的整体效率和响应速度。
热管理:TO-247-3封装设计,提供了良好的散热性能。器件的热管理是功率电子设计中至关重要的一环,IKW40N65H5通过优化的封装设计,有助于提升散热效率,满足高功率或长时间工作的要求。
典型应用
IKW40N65H5 IGBT的广泛应用范围包括:
总结
IKW40N65H5作为英飞凌的一款优质IGBT管,凭借其高额定电压、低导通压降与快速开关特性,成为电力电子领域中一个不可或缺的关键组成部分。无论是对能效的严格要求,还是对高可靠性的期望,IKW40N65H5都能提供出色的解决方案,满足现代电力电子设备日益增长的需求。其广泛的应用潜力使其成为工程师和设计师在电源系统和电机驱动设计中值得信赖的选择。