FZT653TC 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

FZT653TC

商品编码: BM0000283374
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT223
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
三极管(BJT) 2W 100V 2A NPN SOT-223
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
20+
数量 :
X
1.8
按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.8
--
100+
¥1.44
--
1000+
¥1.28
--
2000+
¥1.21
--
40000+
产品参数
产品手册
产品概述

FZT653TC参数

晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大值)2A
电压 - 集射极击穿(最大值)100V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)500mV @ 200mA,2A
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 500mA,2V
功率 - 最大值2W频率 - 跃迁175MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-261-4,TO-261AA供应商器件封装SOT-223

FZT653TC手册

FZT653TC概述

FZT653TC 产品概述

产品名称:FZT653TC
类型:NPN 晶体管
封装:SOT-223 (表面贴装型)
品牌:DIODES (美台)

一、产品基本技术指标

FZT653TC 是一款高性能的 NPN 晶体管,专为多种电子应用设计,具有优越的电流和电压处理能力。其最大集电极电流 (Ic) 可达到 2A,而最大的集射极击穿电压 (Vce) 则可达到 100V,这使得 FZT653TC 能够在要求高电流和高电压的应用中表现出色。此外,该器件在集电极截止电流 (ICBO) 的最大值为 100nA,显示了其优良的漏电性能。

由于其极低的 Vce 饱和压降 (最大值为 500mV @ 200mA 和 2A),FZT653TC 能够有效降低功耗,提高系统效率。在实际应用中,较低的电压损耗可以显著提高功率放大器和开关电路的效率,尤其是在负载较大或者工作频率较高的场合。

二、增益及频率响应

FZT653TC 的 DC 电流增益 (hFE) 最小值为 100,且此性能在500mA电流和2V的条件下依然能够保持,显示了它在放大电路中的富有竞争力的增益特性。此外,本产品的频率跃迁能力可达 175MHz,适合用于高速开关及高频信号处理应用。

三、工作环境及可靠性

FZT653TC 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C,能够在极端环境条件下稳定运行,满足国军标要求。因此,该器件特别适用于汽车、工业控制及航空航天等领域,对可靠性和耐环境恶劣性有较高要求的应用场景。

四、应用领域

FZT653TC 的适用范围广泛,主要包括但不限于以下几个方面:

  1. 功率放大器:由于其高电流和增益特性,该产品适用于音频或射频功率放大器。
  2. 开关电源:在开关电源转换器中,该器件可以作为开关元件,有效实现高频开关。
  3. 信号放大:可用于低噪声和高增益的放大器电路,处理射频信号或音频信号。
  4. 电流驱动:作为负载驱动的开关元件,适合于驱动继电器、LED和其他大功率负载。

五、设计与应用注意事项

在设计使用 FZT653TC 的电路时,需考虑以下几点:

  • 散热设计:虽然 FZT653TC 的最大功率可达 2W,但在近满负载情况下,设计时需考虑合适的散热措施,以避免器件过热。
  • 驱动电路:确保基极电流 (Ib) 的适当设计,以满足线性工作区域的需要,并优化增益。
  • 电源管理:对于高电流切换应用,需要较好的电源去耦设计,减少对其他电路的干扰。

六、结论

FZT653TC 作为一款性能优越的 NPN 晶体管,凭借其高电流处理能力、低饱和压降和广泛的工作温度范围,适用于多种电子设计需求,是现代高效电子产品设计中的理想选择。DIODES 作为知名品牌,其提供的优质器件和强大的技术支持,将为广大设计工程师提供最佳的解决方案。