晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 2A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 100V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 500mV @ 200mA,2A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 500mA,2V |
功率 - 最大值 | 2W | 频率 - 跃迁 | 175MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA | 供应商器件封装 | SOT-223 |
产品名称:FZT653TC
类型:NPN 晶体管
封装:SOT-223 (表面贴装型)
品牌:DIODES (美台)
FZT653TC 是一款高性能的 NPN 晶体管,专为多种电子应用设计,具有优越的电流和电压处理能力。其最大集电极电流 (Ic) 可达到 2A,而最大的集射极击穿电压 (Vce) 则可达到 100V,这使得 FZT653TC 能够在要求高电流和高电压的应用中表现出色。此外,该器件在集电极截止电流 (ICBO) 的最大值为 100nA,显示了其优良的漏电性能。
由于其极低的 Vce 饱和压降 (最大值为 500mV @ 200mA 和 2A),FZT653TC 能够有效降低功耗,提高系统效率。在实际应用中,较低的电压损耗可以显著提高功率放大器和开关电路的效率,尤其是在负载较大或者工作频率较高的场合。
FZT653TC 的 DC 电流增益 (hFE) 最小值为 100,且此性能在500mA电流和2V的条件下依然能够保持,显示了它在放大电路中的富有竞争力的增益特性。此外,本产品的频率跃迁能力可达 175MHz,适合用于高速开关及高频信号处理应用。
FZT653TC 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C,能够在极端环境条件下稳定运行,满足国军标要求。因此,该器件特别适用于汽车、工业控制及航空航天等领域,对可靠性和耐环境恶劣性有较高要求的应用场景。
FZT653TC 的适用范围广泛,主要包括但不限于以下几个方面:
在设计使用 FZT653TC 的电路时,需考虑以下几点:
FZT653TC 作为一款性能优越的 NPN 晶体管,凭借其高电流处理能力、低饱和压降和广泛的工作温度范围,适用于多种电子设计需求,是现代高效电子产品设计中的理想选择。DIODES 作为知名品牌,其提供的优质器件和强大的技术支持,将为广大设计工程师提供最佳的解决方案。