FMMT455TA
FMMT455TA参数
| 额定功率 | 500mW | 集电极电流Ic | 1A |
| 集射极击穿电压Vce | 140V | 晶体管类型 | NPN |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 1A | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 140V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 700mV @ 15mA，150mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 150mA，10V | 功率 - 最大值 | 500mW |
| 频率 - 跃迁 | 100MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
FMMT455TA手册
FMMT455TA概述
产品概述：FMMT455TA NPN 晶体管
FMMT455TA 是由 DIODES（美台）推出的一款高性能 NPN 晶体管。它具备强大的电气特性和优越的工作稳定性，适合广泛的电子应用，包括信号放大、电源管理和开关电路等。本产品的设计旨在满足现代电子设备对于高可靠性和高效率的需求，尤其是在小型化和低功耗的应用场景中表现优异。
基本参数
额定功率：FMMT455TA 的额定功率为 500mW，意味着它能够在保证内部温度控制的情况下处理较高的功率，因而在多种应用中表现出色。
集电极电流 (Ic)：其最大集电极电流为 1A，使得该晶体管适合执行高电流驱动的任务，同时也能在较低负载条件下提供可靠的性能。
集射极击穿电压 (Vce)：FMMT455TA 的最大集射极击穿电压为 140V，这一特性使得该器件能够在较高电压环境下稳定运行，适用于高电压开关及放大电路。
饱和压降：在 Ic 为 15mA 和 150mA 时，Vce 的最大饱和压降为 700mV，这表明在高电流操作时，可以获得较低的功率损耗，提高能效。
截止电流：在集电极截止状态下，最大电流为 100nA (ICBO)，表现出良好的密封性和低功耗特性。
直流电流增益 (hFE)：在级别 150mA 和 10V 时，其 DC 电流增益的最小值为 100，显示了良好的信号放大能力，适合于信号处理电路。
频率响应与温度特性
FMMT455TA 具有高达 100MHz 的频率跃迁特性，适合高速信号处理。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，为各种严苛环境下的应用提供了保障，从汽车电子、工业控制到航空航天等领域均可应用自如。
封装与安装
该晶体管采用 SOT-23 封装，体积小、重量轻，非常适合于表面贴装型应用。SOT-23 封装的尺寸确保了更高的集成度，适合小型化的电子设备设计，使得该器件在现代电子产品中被广泛采用。
适用领域与应用
FMMT455TA 广泛应用于电子开关、功率放大器、低噪声放大电路、电源管理及边缘计算设备中。同时，由于其高压和小型化的特性，非常适合应用于消费电子、汽车电子以及工业控制设备中。特别是在LED驱动、高频通信和开关电源等领域，该晶体管展示了独特的优势。
总结
总之，FMMT455TA 是一款高性能、低功耗并具备广泛工作电压范围和电流调整能力的 NPN 晶体管。它的设计追求高效、稳定和可靠，能够满足现代电子产品对元器件的多样化需求。利用其优越的电气特性及小型封装，工程师可以在设计时获得更多的灵活性，将其应用于更为复杂与高效的电路设计中。无论是在高压、大电流还是在紧凑空间设计，FMMT455TA 都能成为您的理想选择。