反向恢复时间(trr) | 25ns | 直流反向耐压(Vr) | 100V |
平均整流电流(Io) | 3A | 正向压降(Vf) | 900mV @ 3A |
二极管类型 | 标准 | 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 100V |
电流 - 平均整流 (Io) | 3A | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 900mV @ 3A |
速度 | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) | 反向恢复时间 (trr) | 25ns |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 10µA @ 100V | 不同 Vr、F 时电容 | 45pF @ 4V,1MHz |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | DO-214AA,SMB |
供应商器件封装 | SMB | 工作温度 - 结 | -55°C ~ 150°C |
概述:
ES3BB-13-F 是美台(DIODES)公司的一款高效率快恢复二极管,特别适用于高频脉冲电路和开关电源等应用场景。其特性参数使得该二极管能够在高需求的环境下提供可靠和稳定的性能,广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动及其他需要快速开关的电子电路中。
主要参数:
反向恢复时间 (trr): 25ns
作为一种快恢复二极管,ES3BB-13-F 的反向恢复时间极短,能够在高频应用中有效降低开关损耗,提升整体电路的效率。
直流反向耐压 (Vr): 100V
此二极管可以承受高达100V的反向电压,极大地方便了在高压环境下的使用,尤其是在电力电子和电机控制系统中。
平均整流电流 (Io): 3A
ES3BB-13-F 支持的3A的平均整流电流适合于多种电源管理应用,能够满足一般电子设备的需求。
正向压降 (Vf): 900mV @ 3A
在3A的工作状态下,正向压降为900mV,这与其高效率特性相呼应,有助于降低能量损耗,提升系统的整体性能。
反向泄漏电流: 10µA @ 100V
在高达100V的反向电压下,该二极管的反向泄漏电流仅为10µA,这一低值确保了优良的电气性能,显著降低电路的能耗。
电容: 45pF @ 4V,1MHz
该二极管在4V的条件下,其电容值为45pF,这使得其在高频应用中具备良好的性能表现,特别是在开关频率高的场合下。
封装与安装:
ES3BB-13-F 采用SMB(DO-214AA)封装,适合于表面贴装(SMD)技术。SMB封装不仅有助于降低整体电路板的占用面积,还提高了部件的热管理能力,适应了现代电子设备日益紧凑的设计需求。
工作温度范围:
该二极管的结温工作范围为-55°C至150°C,意味着其可以在广泛的环境条件下运行,保证了其在各种工业和消费电子应用中的可靠性。
应用领域:
由于其优异的性能,ES3BB-13-F 适用于以下几种应用场景:
总结:
ES3BB-13-F 以其快速恢复特性、低正向压降、稳健的反向耐压性能和出色的工作温度范围,成为现代电子设备中不可或缺的组件。它不仅可以提升设备的工作效率,还能在复杂多变的电气环境中保持高可靠性。无论是在消费类电子产品,还是在工业控制系统中,ES3BB-13-F 都是为了实现更高性能而精心设计的理想二极管选择。