反向恢复时间(trr) | 35ns | 直流反向耐压(Vr) | 200V |
平均整流电流(Io) | 1A | 正向压降(Vf) | 950mV @ 1A |
二极管类型 | 标准 | 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 200V |
电流 - 平均整流 (Io) | 1A | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 950mV @ 1A |
速度 | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) | 反向恢复时间 (trr) | 35ns |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 5µA @ 200V | 不同 Vr、F 时电容 | 15pF @ 4V,1MHz |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | DO-214AC,SMA |
供应商器件封装 | DO-214AC(SMA) | 工作温度 - 结 | -65°C ~ 175°C |
ES1D-LTP是一款高性能的快恢复二极管,采用了高效设计,特别适用于需要可靠性和快速响应时间的电子电路。由MCC(美微科)制造,该器件以其优秀的电气特性和耐用性在电子元器件市场中脱颖而出,广泛应用于消费电子、工业设备和电源管理等领域。
ES1D-LTP的主要电气参数如下:
高效率与快速响应
该二极管具有快速恢复时间,仅为35ns,非常适合高频应用。这一特性使其在切换速度要求高的电源转换器和开关电源中表现优异,能够有效减少开关损耗,提高系统效率。
宽广的应用温度范围
ES1D-LTP的工作温度范围广泛,从-65°C至175°C,这意味着它能够在极端环境下正常工作,满足航空航天、军事和工业设备等要求苛刻场合的使用需求。
低反向漏电流
在200V的反向电压下,ES1D-LTP显示出仅5μA的反向漏电流,这意味着该器件在高压工作条件下能够保持稳定,确保系统的高可靠性。同时,低漏电流有助于提高总体能效,降低热损耗。
优良的封装设计
这款二极管采用DO-214AC(SMA)封装,方便表面贴装。此外,该封装设计可有效减少引线长度,有助于减小寄生电容,进一步提高开关性能和降低电功耗。
ES1D-LTP二极管适用于多种应用场合,包括但不限于:
整体而言,ES1D-LTP快恢复二极管凭借其优异的电气参数和结构设计,成为各类电子电路中的首选元件。其快速的反向恢复时间、低正向压降和广泛的工作温度范围,使得该产品在现代电子设计中极具竞争力,无论是工业应用还是消费类电子产品中,都可以实现高效率和高可靠性的性能。作为MCC品牌的代表作之一,ES1D-LTP将为您的电子项目提供坚实的支持与保障。