额定功率 | 150mW | 集电极电流Ic | 50mA |
晶体管类型 | NPN - 预偏压 | 集射极击穿电压Vce | 50V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 50mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1) | 10 kOhms | 电阻器 - 发射极 (R2) | 10 kOhms |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 30 @ 5mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 500µA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA | 频率 - 跃迁 | 250MHz |
功率 - 最大值 | 150mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SC-75,SOT-416 | 供应商器件封装 | EMT3 |
DTC114EETL 是一款由日本知名电子元器件制造商 ROHM 生产的数字晶体管,这款产品是专为高性能电子设备设计的。该合成 NPN 晶体管内部集成了预偏压功能,使得模块在操作时更加稳定和可靠。该产品被广泛用于开关电源管理、信号放大以及各种数字电路应用中。
额定功率:150mW
集电极电流 (Ic):50mA
集射极击穿电压 (Vce):50V
直流电流增益 (hFE): 30 @ 5mA,5V
饱和压降:300mV @ 500µA,10mA
截止电流 (I_Coff):500nA
频率特性:250MHz
封装: EMT3(SC-75/SOT-416)
DTC114EETL 以其卓越的性能参数、低功耗的特性和良好的集成性,使其成为电子设计师和工程师的理想选择。无论是用于一般的开关控制,还是在复杂的信号处理和放大场景中,这款晶体管都可以提供可靠的支持。借助 ROHM 在半导体领域的领先地位,DTC114EETL 在行内获得了广泛的认可和应用。对于希望在设计中实现更高能效、更可靠工作的电子产品,DTC114EETL 是一个不可多得的优秀选择。