DTC114EETL 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DTC114EETL

商品编码: BM0000283340
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
EMT3
包装 : 
编带
重量 : 
0.022g
描述 : 
数字晶体管 150mW 50V 50mA 1个NPN-预偏置 SOT-523-3
库存 :
52012(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.55
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.55
--
200+
¥0.183
--
1500+
¥0.115
--
3000+
¥0.0791
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

DTC114EETL参数

额定功率150mW集电极电流Ic50mA
晶体管类型NPN - 预偏压集射极击穿电压Vce50V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)50mA电压 - 集射极击穿(最大值)50V
电阻器 - 基极 (R1)10 kOhms电阻器 - 发射极 (R2)10 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)30 @ 5mA,5V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值)500nA频率 - 跃迁250MHz
功率 - 最大值150mW安装类型表面贴装型
封装/外壳SC-75,SOT-416供应商器件封装EMT3

DTC114EETL手册

DTC114EETL概述

DTC114EETL 产品概述

DTC114EETL 是一款由日本知名电子元器件制造商 ROHM 生产的数字晶体管,这款产品是专为高性能电子设备设计的。该合成 NPN 晶体管内部集成了预偏压功能,使得模块在操作时更加稳定和可靠。该产品被广泛用于开关电源管理、信号放大以及各种数字电路应用中。

主要参数

  • 额定功率:150mW

    • DTC114EETL 的最大功率能力为 150mW,足以满足大多数中小型电子设备的需求,减少了因过载而可能引发的故障风险。
  • 集电极电流 (Ic):50mA

    • 该晶体管支持最大 50mA 的集电极电流,确保其能够适应多种负载和应用场景。
  • 集射极击穿电压 (Vce):50V

    • Vce 最大值为 50V,提供了稳定的电源供给,并能够承受一定的过压情况,增加了电路的安全性。
  • 直流电流增益 (hFE): 30 @ 5mA,5V

    • DTC114EETL 具有最低 30 的电流增益,适合于信号放大和开关应用,这在低功耗信号处理中特别有用。

主要特性

  • 饱和压降:300mV @ 500µA,10mA

    • 在相对较低的电流下,DTC114EETL 展现出良好的饱和压降特性,这意味着在其工作时会有更低的功耗,从而提高了整体能效。
  • 截止电流 (I_Coff):500nA

    • 在关断状态下,该晶体管的最大截止电流为 500nA,这表明其在非导通时的电流损耗极低,增强了电路的整体能效。
  • 频率特性:250MHz

    • DTC114EETL 的跃迁频率为 250MHz,适合高频应用,支持各种数据传输和信号处理需求。
  • 封装: EMT3(SC-75/SOT-416)

    • DTC114EETL 采用小型表面贴装封装,使其非常适合空间有限的电子设备。该封装在许多现代电子设备中得到了广泛应用。

应用领域

  • 开关电源:O个性化定制电源扩展。
  • 射频应用:适合高频信号处理,广泛用于卫星通信、无线设备等。
  • 信号放大:可作为微弱信号放大的核心元件,广泛应用于音频设备和传感器接口。
  • 数字电路:在数字逻辑电路中,DTC114EETL 也能强有力地作为开关元件,支持逻辑电平转换。

总结

DTC114EETL 以其卓越的性能参数、低功耗的特性和良好的集成性,使其成为电子设计师和工程师的理想选择。无论是用于一般的开关控制,还是在复杂的信号处理和放大场景中,这款晶体管都可以提供可靠的支持。借助 ROHM 在半导体领域的领先地位,DTC114EETL 在行内获得了广泛的认可和应用。对于希望在设计中实现更高能效、更可靠工作的电子产品,DTC114EETL 是一个不可多得的优秀选择。