DTC014YMT2L
DTC014YMT2L参数
| 封装/外壳 | SOT-723 | 晶体管类型 | NPN-预偏压 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V | 集电极电流Ic（最大值） | 70mA |
| 电流放大倍数hFE（最小值） | 80@5mA，10V | 功率（最大值） | 150mW |
| 安装类型 | 表面贴装(SMT) | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 70mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 10 kOhms |
| 电阻器 - 发射极 (R2) | 47 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 150mV @ 500µA，5mA | 频率 - 跃迁 | 250MHz |
| 功率 - 最大值 | 150mW | 供应商器件封装 | VMT3 |
DTC014YMT2L手册
DTC014YMT2L概述
DTC014YMT2L 产品概述
产品名称: DTC014YMT2L
制造商: ROHM(罗姆)
封装形式: SOT-723 (VMT3)
一、产品简介
DTC014YMT2L是ROHM公司推出的一款高性能NPN预偏置数字晶体管，专为需要低功耗和高频率特性的电子电路设计而开发。该器件的特性使其非常适合用于各种数字电路、开关控制和信号放大等应用场景。
二、主要参数
封装与外壳: DTC014YMT2L采用SOT-723封装，这是一种小型表面贴装(SMT)工艺的封装形式，非常适合于追求高密度布局的小型电子设备。
晶体管类型: NPN-预偏压，能够在较低的基极电流下达到良好的工作状态，从而提高整体效率和可靠性。
电压和电流:
- 集射极击穿电压 (V(BR) CEO): 最大可达50V，能够在多种高压环境下稳定工作。
- 集电极电流 (Ic): 最大为70mA，提供足够的输出能力以驱动负载。
电流增益 (hFE): 在5mA的工作条件下，hFE的最小值为80，说明该器件在小信号放大应用中的良好性能，能够有效放大输入信号。
饱和压降: Vce饱和压降在500µA和5mA的条件下最大为150mV，这表明该器件在开关状态时能够有效降低功耗，提升电路的整体效率。
工作频率: DTC014YMT2L的跃迁频率可达到250MHz，适合应用于高频信号处理环境，如RF（射频）电路和高速数字电路。
功率处理能力: 最大功率为150mW，确保在不同的工作条件下，器件能够长时间稳定运行。
基极与发射极电阻: R1（基极电阻）为10 kΩ，R2（发射极电阻）为47 kΩ，这些参数使得DTC014YMT2L在使用时具备良好的稳定性与控制能力。
三、应用领域
DTC014YMT2L可广泛应用于多个领域，包括但不限于：
数字电路: 用于数字信号的开关及放大，满足现代电子产品对高频信号处理的需求。
开关电源: 适合用作开关控制元件，能够有效地控制开关操作，提高系统效率。
信号放大器: 可用于音频处理、射频信号放大等，特别是在小信号环境下表现出色。
便携式设备: 由于其低功耗和小型化封装，适合用于智能手机、平板电脑以及其他便携式电子设备。
四、总结
DTC014YMT2L数字晶体管因其卓越的电气性能和灵活的应用性，无疑是现代电子设计中的一款重要元件。从引导基础信号的放大到实现高效的开关控制，这款器件无疑为设计师提供了可靠的解决方案。ROHM(罗姆)作为全球知名的半导体制造商，其产品经过严苛的测试与验证，确保DTC014YMT2L在各种应用环境中的稳定性与高效性，是您设计项目中的理想选择。