DMT6009LSS-13
DMT6009LSS-13参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9.5 毫欧 @ 13.5A，10V |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10.8A（Ta） | FET 类型 | N 通道 |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1925pF @ 30V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 33.5nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 功率耗散（最大值） | 1.25W（Ta） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
DMT6009LSS-13手册
DMT6009LSS-13概述
DMT6009LSS-13 产品概述
产品简介
DMT6009LSS-13 是一款高性能 N 沟道场效应管 (MOSFET)，适用于各种高频开关应用。这款 MOSFET 由 DIODES（美台）品牌生产，采用表面贴装型 (SMD) 封装，型号为 SO-8，以满足空间紧凑和高效散热的需求。其主要特点包括最大漏源电压 (Vdss) 为 60V，最大连续漏极电流 (Id) 为 10.8A，以及出色的导通电阻和栅极特性，使其成为现代电子电路中不可或缺的组件。
关键参数
导通电阻: 在 Vgs 为 10V 和 Id 为 13.5A 条件下，DMT6009LSS-13 的导通电阻 (Rds(on)) 最大值为 9.5 毫欧，这使得其在导通状态下的功耗极低，有助于提升系统的整体能效。
驱动电压: 该 MOSFET 可在 4.5V 到 10V 的栅极驱动电压下稳定工作，确保在各种应用场景中灵活切换与控制。
输入电容: 在 Vds 为 30V 时，输入电容 (Ciss) 的最大值为 1925pF，这使得其在高速开关应用时有着良好的响应特性。
栅极电荷: 在 Vgs 为 10V 下的栅极电荷 (Qg) 最大值为 33.5nC，较小的栅极电荷意味着驱动电路的负担减少，提升开关效率。
漏极电流: 该器件在 25°C 的环境条件下能够承受10.8A 的连续漏极电流，展现出卓越的承载能力，适合于高负载应用。
应用场景
DMT6009LSS-13 的设计使其在多种应用中表现优异，主要包括但不限于：
- 电源管理: 在 DC-DC 转换器、开关电源中的开关元件，充当电子开关。
- 马达驱动器: 用于控制电机的启停和速度调节，特别是在需要高效率和快速响应的场合。
- 电池管理系统: 在锂电池充电和放电过程中，提供安全稳固的开关控制。
- 照明系统: 用于 LED 灯驱动的高效开关，确保低功耗和长寿命。
环境适应性
DMT6009LSS-13 具备宽广的工作温度范围 (-55°C 至 150°C)，使其在严苛环境下仍能稳定工作，适用于汽车电子、工业设备、航天航空等领域的高可靠性应用。
封装与安装
该 MOSFET 采用 SO-8 封装，具有良好的热管理能力与占位优势，适合于表面贴装 (SMT) 工艺，大大简化了在现代电子设备中的集成与布局。
总结
总体而言，DMT6009LSS-13 以其卓越的电气性能、广泛的应用适用性及高品质的封装设计，成为市场上备受青睐的 N 沟道 MOSFET 之一。无论是在电源管理、马达控制还是电池系统中，都能提供高效、可靠的解决方案，是电子工程师的理想选择。