DMP6350S-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT23
包装 :
编带
重量 :
0.028g
描述 :
场效应管(MOSFET) 720mW 60V 1.5A 1个P沟道 SOT-23
库存 :
30016(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
0.666按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.666
--
200+
￥0.459
--
1500+
￥0.417
--
3000+
￥0.39
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMP6350S-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 1.5A |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 350mΩ @ 900mA,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 720mW | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.5A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 350 毫欧 @ 900mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 4.1nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 206pF @ 30V | 功率耗散（最大值） | 720mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
DMP6350S-7手册
DMP6350S-7概述
DMP6350S-7 产品概述
DMP6350S-7 是一款由 DIODES（美台）公司推出的 P 通道 MOSFET（场效应晶体管），主要用于各种电源管理和开关应用。这款器件在设计上具有优异的电气性能和可靠性，适用于各种电子设备和电路中需要高效率、低干耗的场合。
基本参数
DMP6350S-7 的关键规格如下：
- 漏源电压（Vdss）：60V
- 连续漏极电流（Id）：1.5A（25°C 时）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：3V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）：350mΩ @ 900mA, 10V
- 最大功率耗散：720mW (Ta=25°C)
- 工作温度范围：-55°C至150°C
此外，DMP6350S-7提供的栅极驱动电压在不同条件下亦有所不同，其中最大 Rds(On) 在 4.5V 和 10V 下的表现都相对优异。这使得产品在电源开关和驱动电流的应用中极具竞争力。
封装与安装
DMP6350S-7 采用 SOT-23（TO-236-3, SC-59）表面贴装型封装。这种紧凑的尺寸允许设计师在空间受限的应用中轻松集成该器件，适合现代电子产品对于小型化和高集成度的需求。此外，SOT-23 封装在生产和装配过程中相对容易处理，进一步降低了连接和焊接不良的风险。
应用场景
DMP6350S-7 是一款多用途的 MOSFET，适用于许多不同的应用场景，包括但不限于：
- 电源开关：用于电源管理电路，帮助在电源与负载之间控制电流流动。
- 负载开关：在自动化和控制系统中能够有效地隔离负载。
- 电机驱动：与电机控制器配合使用，能够在电机启动和停止过程中提供必要的电源保护。
- 低功耗设备：由于该器件在低电流下具有优异的导通性能，非常适合于电池供电的便携式设备。
性能优势
- 低导通电阻：350mΩ 的导通电阻不仅可以有效降低功耗，还能提高系统效率，尤其在需要可变负载的情况下尤为重要。
- 宽工作温度范围：-55°C 至 150°C 的大温度范围使 DMP6350S-7 能够在严苛的环境条件下稳定工作。
- 高漏源电压：60V 的漏源电压为能够承受较高电压的应用提供了灵活性和可靠性，有助于满足用于工业和消费电子产品的需求。
总结
DMP6350S-7 P 通道 MOSFET 是一款在许多电源管理和开关应用中表现卓越的电子元件。其满足高效、低功耗设计需求的能力使其成为现代电子产品设计中不可或缺的组成部分。无论是在严苛的环境条件下工作，还是在要求空间紧凑性的设计中，此款 MOSFET 都能为开发者提供可靠且高效的解决方案。通过结合其出色的电气特性与便捷的安装方式，DMP6350S-7 适合于广泛的应用领域，是电子工程师在产品设计中值得推荐的理想选项。