DMP510DL-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT23
包装 :
编带
重量 :
0.034g
描述 :
场效应管(MOSFET) 310mW 50V 180mA 1个P沟道 SOT-23
库存 :
12616(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
0.251按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.251
--
200+
￥0.162
--
1500+
￥0.14
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMP510DL-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 50V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 180mA |
| 栅源极阈值电压 | 2V @ 1mA | 漏源导通电阻 | 10Ω @ 100mA,5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 310mW | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 180mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 10 欧姆 @ 100mA，5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 24.6pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 310mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
DMP510DL-7手册
DMP510DL-7概述
DMP510DL-7 产品概述
DMP510DL-7是一款由DIODES（美台）公司生产的P沟道MOSFET场效应管，具有优良的性能特点和广泛的应用潜力。它的封装类型为SOT-23，这种小型化的表面贴装封装使其非常适合于紧凑型电子设备和电路板设计中，能够有效节省空间。
主要规格和参数
DMP510DL-7的关键参数包括：
- 漏源电压 (Vdss): 50V，这是该MOSFET可以承受的最大漏极到源极电压，确保其在高电压应用中的可靠性。
- 连续漏极电流 (Id): 180mA（在25°C条件下），表示该器件可在特定温度下稳定提供的最大电流，适合用于小功率电源管理和信号开关。
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 2V @ 1mA，这是使MOSFET导通所需的最低栅源电压，便于与微控制器和其他逻辑器件兼容。
- 漏源导通电阻 (Rds(on)): 10Ω @ 100mA，5V，较低的导通电阻意味着在导通状态时功耗较低，能够提高电路的效率。
- 最大功率耗散: 310mW (Ta=25°C)，指的是在特定环境条件下，器件所能承受的最大功率，即使在高温环境中也能提供稳定的操作。
- 工作温度范围: -55°C 到 150°C，极宽的工作温度范围使其适用于恶劣环境中的各种应用。
应用场景
DMP510DL-7MOSFET的特点使其成为多个应用领域的理想选择。典型应用包括：
- 电源管理: 本器件可作为电源开关，以控制电流的流动，适合在便携式设备、充电器以及电源适配器中使用。
- 信号开关: 由于其小封装和低工作电压，DMP510DL-7非常适合用于电信、计算机和消费电子设备的信号切换。
- 负载控制器: 在家电和自动化控制系统中，它能够高效地管理负载设备的开启和关闭。
设计优势
DMP510DL-7提供了一系列设计优势：
- 空间节省: SOT-23封装小巧，使设计师能够在PCB上节省空间并减少整体设计成本。
- 效率高: 低导通电阻和高电流承载能力使电路能在更低热量下运行，提高了功率转换效率。
- 高可靠性: 广泛的工作温度范围和高耐压特性使得在各种工业和消费电子设备中具有良好的稳定性和耐用性。
结语
总之，DMP510DL-7是一款具备高性能和高可靠性的P沟道MOSFET，适合多种电子应用，能够有效提升电路设计的效率和稳定性。其强大的规格和多样化的应用前景，不仅满足了市场的需求，同时也为设计师提供了更大的设计灵活性。无论是在消费电子、工业控制，还是电源管理领域，DMP510DL-7都是一种可靠的解决方案。