漏源电压(Vdss) | 40V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 6.9A |
栅源极阈值电压 | 1.8V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 25mΩ @ 3A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 1.8W | 类型 | 双P沟道 |
FET 类型 | 2 个 P 沟道(双) | FET 功能 | 逻辑电平门 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.9A | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 25 毫欧 @ 3A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.8V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 33.7nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1640pF @ 20V | 功率 - 最大值 | 1.8W |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商器件封装 | 8-SO |
DMP4025LSD-13 是由DIODES(美台)推出的一款高性能双P沟道场效应管(MOSFET),其设计旨在满足各种高效能电源管理和开关控制应用的需求。这款MOSFET特别适合用于低电压直流电源转换和高频开关电路,并高度兼容逻辑电平信号的控制。
DMP4025LSD-13 的主要电气特性包括:
DMP4025LSD-13 的应用范围广泛,主要包括但不限于:
DMP4025LSD-13 作为一款双P沟道MOSFET,凭借其高效的电气性能、优异的热管理能力和合理的封装设计,为广大电子设计师和工程师提供了一个可信赖的解决方案。无论是在电源管理、汽车、工业控制,还是消费电子市场,这款器件都表现出令人期待的能力,适合寻求高效率和高集成度的现代电子设备开发的需求。其出色的性价比也使其成为市场上备受欢迎的选择。