DMP4015SSS-13
DMP4015SSS-13参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 11 毫欧 @ 9.8A，10V |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9.1A（Ta） | FET 类型 | P 通道 |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4234pF @ 20V | Vgs（最大值） | ±25V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 47.5nC @ 5V |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 功率耗散（最大值） | 1.45W（Ta） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
DMP4015SSS-13手册
DMP4015SSS-13概述
产品概述：DMP4015SSS-13 P沟道MOSFET
一、基本信息
DMP4015SSS-13是一款高性能的P沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），由知名品牌DIODES（美台）出品。该元器件采用符合现代电子设计需求的SO-8封装，适合表面贴装（SMD）应用。其在可穿戴设备、电源管理、开关电源和其他低电压高功率应用中表现出色，广泛应用于消费电子、汽车电子和工业控制等领域。
二、关键技术参数
导通电阻 (Rds(on))：该MOSFET在9.8A和10V电压下，最大导通电阻为11毫欧，极低的Rds(on)保障了高效的电流传输和低发热量，适合高电流应用。
工作电流和电压：DMP4015SSS-13在25°C环境下提供的最大连续漏极电流（Id）为9.1A，漏源电压（Vdss）为40V，使其能够处理较高的供电需求，满足各种应用场景。
栅极驱动电压 (Vgs)：该MOSFET支持的驱动电压包括4.5V和10V，允许设计人员灵活选择适合其电路的栅极驱动电压，从而实现最佳开关性能。
输入电容 (Ciss)：在20V时，该器件的输入电容最大值为4234pF，这一相对较高的输入电容有助于提供更稳定的控制信号，确保快速开关响应。
栅极电荷 (Qg)：在5V栅极驱动条件下，该MOSFET的最大栅极电荷为47.5nC，高效的栅极充电特性有助于提高开关速度和降低功耗，确保高频率工作下的性能稳定。
工作温度范围：DMP4015SSS-13的工作温度范围为-55°C至150°C，这一宽广的温度适应性使其能够在恶劣环境中正常工作，满足工业级应用的需求。
功率耗散：该产品在25°C下的最大功率耗散为1.45W，能够有效管理热量，提升整体可靠性，适合密集的电路设计。
阈值电压 (Vgs(th))：该MOSFET在250µA电流时的最大阈值电压为2.5V，确保其在较低电压下也能有效导通，适应多种控制电路的需求。
三、应用场景
电源管理：DMP4015SSS-13可用于高效的开关电源及恒定电流源，能够提供稳定的输出电流和电压，适合用于笔记本电脑、LED驱动、电池管理系统等。
消费电子：在智能家居设备、手机充电器及移动智能设备中，该MOSFET能够用于电源开关及保护电路，为设备提供更高的能效和稳定性。
汽车电子：该产品的高温工作特性使其适合在汽车电子系统中应用，如DC-DC转换器及电机控制系统，保障系统在高温和高负载条件下的正常运行。
工业控制：在自动化设备、传感器接口和电动机驱动的应用中，DMP4015SSS-13展现出极好的性能，帮助实现高效的信号控制与电源切换。
四、总结
DMP4015SSS-13以其低导通电阻、高连续电流及宽工作温度范围，成为现代电子设计不可或缺的核心元件。无论是在消费电子、汽车工业还是工业控制领域，它都展示了超凡的性能和可靠性，为设计人员提供多样的解决方案。通过使用该P沟道MOSFET，用户能够更好地优化电路设计，提升产品性能，同时实现更高的能效和更低的热损耗。选择DMP4015SSS-13，将为您的项目成功铺平道路。