DMP2035UVT-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
TSOT26
包装 :
编带
重量 :
0.034g
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.2W 20V 6A 1个P沟道 TSOT-23-6
库存 :
3000(起订量1,增量1)
批次 :
22+数量 :
X
0.605按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.605
--
200+
￥0.39
--
1500+
￥0.339
--
3000+
￥0.299
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30000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMP2035UVT-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 6A |
| 栅源极阈值电压 | 1.5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 35mΩ @ 4A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.2W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 35 毫欧 @ 4A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 23.1nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2400pF @ 10V | 功率耗散（最大值） | 1.2W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TSOT-26 | 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
DMP2035UVT-7手册
DMP2035UVT-7概述
DMP2035UVT-7 产品概述
产品简介
DMP2035UVT-7 是一款高性能的 P 型沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），专为低电压、高效率的开关应用而设计。其额定漏源电压（Vdss）为 20V，具有优秀的电流承载能力，可支持最大连续漏极电流（Id）为 6A，适用于各种领域的电源管理、负载开关及其他功率转换应用。
关键特性
- 漏源电压（Vdss）: DMP2035UVT-7 的最大漏源电压为 20V，适合在低压环境中运行。
- 漏极电流（Id）: 在 25°C 的环境下，该器件可持续承载 6A 的电流，确保持久性和可靠性。
- 导通电阻（Rds(on)）: 在 4A 和 4.5V 的输入条件下，导通电阻达 35 毫欧，保证了低能耗和高效能。
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 栅极阈值电压为 1.5V，适合多种逻辑电平的驱动电路。
- 驱动电压（Vgs）: 最大栅源电压为 ±12V，提高了在不同应用中的适应性。
- 栅极电荷（Qg）: 栅极电荷为 23.1nC，支持高速开关操作，减小开关损耗。
- 输入电容（Ciss）: 在 10V 的条件下，输入电容最大值为 2400pF，优化了电路的响应时间。
- 功率耗散: 该MOSFET 的最大功率耗散为 1.2W，适合中等功率的应用或作为强大的开关元件使用。
- 优秀的工作温度范围: 工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C，保证了在极端环境下的长期稳定运行。
封装与安装
DMP2035UVT-7 采用 TSOT-26 表面贴装封装，具有小型化特性，适合空间受限的电子设备。该封装设计使得DMP2035UVT-7 在热管理和电气性能方面均表现出色，满足现代电子产品的严苛要求。
应用场景
DMP2035UVT-7 可广泛应用于如下领域：
- 电源管理: 适用于 DC-DC 转换器、线性稳压器和电源开关等。
- 负载开关: 可用于控制电源的启闭，适合LED驱动、马达控制等应用。
- 消费电子: 用于电视、电脑及各种家用电器的电源管理。
- 汽车电子: 在汽车内部电源管理中，尤其是在电池管理和负载控制方面的应用。
整体优势
DMP2035UVT-7 作为一款集成了众多优秀特性的 P 型沟道 MOSFET，非常适合低电压、高负载和高效率的应用场合。其低导通电阻、高电流承载能力、宽工作温度范围以及快速的开关特性，使其在现代电子产品中具有重要的应用价值。
总之，DMP2035UVT-7 是市场上可靠的、性能优异的 MOSFET 选择，能够满足各种先进电子设备对效率、稳定性和小型化的需求。