DMP1022UFDF-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
U-DFN2020-6
包装 :
编带
重量 :
0.03g
描述 :
场效应管(MOSFET) 730mW 12V 9.5A 1个P沟道 UDFN2020-6
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
1.21按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.21
--
200+
￥0.932
--
1500+
￥0.81
--
3000+
￥0.705
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMP1022UFDF-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 12V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 9.5A |
| 栅源极阈值电压 | 800mV @ 250uA | 漏源导通电阻 | 15.3mΩ @ 4A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 730mW | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9.5A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 15.3 毫欧 @ 4A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 800mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 48.3nC @ 8V | Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2712pF @ 10V | 功率耗散（最大值） | 730mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | U-DFN2020-6（F 类） | 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
DMP1022UFDF-7手册
DMP1022UFDF-7概述
产品概述: DMP1022UFDF-7 P沟道MOSFET
基本信息
DMP1022UFDF-7 是由美台（DIODES）公司生产的一款高性能 P沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其主要应用于各种电子电路中，如开关电源、功率管理、负载开关等。这款器件具有强大的电流处理能力和较低的导通电阻，适合在较高的工作温度和复杂的电子环境中使用。
关键参数
- 漏源电压（Vdss）: 12V
- 连续漏极电流（Id）: 9.5A @ 25°C
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 800mV @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 15.3mΩ @ 4A, 4.5V
- 最大功率耗散: 730mW @ 25°C
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 封装类型: U-DFN2020-6（表面贴装型）
设计特点
DMP1022UFDF-7 在设计上具备多项优越性能。首先，12V的漏源电压和9.5A的连续漏极电流使得该MOSFET能够处理大部分中小功率应用，确保在各种工作条件下的可靠性。其低导通电阻（Rds(on)）为15.3mΩ，不仅能够降低功耗，还能提高电路的整体效率，尤其是在高电流应用场合。
另外，该器件支持宽范围的栅源电压（Vgs），最大可以达到±8V，适合在不同的控制逻辑电平下操作，这一特性为设计师提供了更大的灵活性。同时，800mV的栅源极阈值电压保证了在低电压驱动时也能实现较好的开关性能，适用于低电压逻辑电平的控制环境。
应用领域
DMP1022UFDF-7 的应用范围十分广泛，主要包括：
- 开关电源（SMPS）: 该MOSFET可用于高效的电源开关管理，以显著提高电源系统的能量转换效率。
- 负载开关: 可用于控制不同电源负载的开关，能够有效管理功耗并实现低热量操作。
- 电机控制: 在电机驱动电路中，MOSFET可以作为电子开关，控制电机的启动、停止和调速。
- 自动化设备: 适用于需要高功率和高效率转控制的工业自动化设备中。
环境适应性
DMP1022UFDF-7 的工作温度范围覆盖了-55°C到150°C，使得其能够在极端环境下进行操作。此外，该器件的U-DFN2020-6封装设计（裸露焊盘）提升了散热性能，并适合现代表面贴装技术，使其在空间有限的电路板上同样表现出色。
总结
DMP1022UFDF-7 是一款集高效能、优异的电流处理能力以及宽范围工作温度于一体的P沟道MOSFET。其低导通电阻和合理的功率耗散特点，加上多种典型应用场合的适用性，使其成为开关电源、负载开关及电机驱动等多种电路设计的理想选择。设计师可以依赖该器件在各种严苛环境中提供稳定的性能，降低整机功耗，提高效率。