FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 12V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 15A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 1.8V,4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 11 毫欧 @ 5A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 44nC @ 8V |
Vgs(最大值) | ±8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1860pF @ 10V |
功率耗散(最大值) | 2W(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | U-DFN2020-6(F 类) |
封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
DMP1009UFDF-7 是一款高性能的 P 通道 MOSFET (金属氧化物场效应管),由 DIODES(美台)公司制造。采用先进的 U-DFN2020-6 封装,这款 MOSFET 设计用于在功率管理和电源转换应用中提供卓越的高效能和可靠性。其电气特性使其特别适用于需要较高电流和低导通电阻的应用场景,如电池管理系统、DC-DC 转换器、马达驱动电路等。
DMP1009UFDF-7 的设计理念是实现高效能、紧凑封装和出色的热管理。作为 P 通道 MOSFET,其导电能力在正向偏置时表现良好,适合用于电源管理电路,确保高效的能量传输和低能量损耗。低导通电阻和高电流能力为多种高负载条件下的应用提供了可靠的解决方案。
DMP1009UFDF-7 是一款适合高效能功率管理和电源控制的 P 通道 MOSFET,其优越的电气特性和紧凑的封装设计,使其在日益复杂的电子设备中脱颖而出。DIODES(美台)凭借其稳定的质量和良好的售后服务,确保用户获得优秀的产品体验。对于设计人员和工程师而言,这款产品无疑是实现更高能效、更小尺寸设计的理想选择。