DMN63D8LW-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT323
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 300mW 30V 380mA 1个N沟道 SOT-323-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
0.262按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.262
--
200+
￥0.168
--
1500+
￥0.147
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMN63D8LW-7参数
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 30V | 栅源电压 Vgss | ±20V |
| 安装类型 | 表面贴装(SMT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 380mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.8 欧姆 @ 250mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | .9nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 23.2pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 300mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | SOT-323 |
DMN63D8LW-7手册
DMN63D8LW-7概述
DMN63D8LW-7 产品概述
产品简介
DMN63D8LW-7 是一款高性能的N沟道MOSFET，专为要求小型化和高效率的应用而设计，采用SOT-323及SC-70封装。它在低电压和高频率的工作环境中表现出色，适合用于消费电子、便携设备、电源管理、电机控制等众多领域。
技术参数
封装类型：
- SOT-323和SC-70形式因其小巧的结构和适合表面贴装（SMT）工艺的特点，广泛应用于空间受限的电路设计中。
电源与电流特性：
- 漏源极电压（Vdss）：30V，确保其在各种应用中能够承受较高的电压。
- 连续漏极电流（Id）：380mA（在25°C时），适合中低功率应用。
- 功率耗散（最大值）：300mW，提供有效的热管理，确保可靠工作。
栅极-源极电压（Vgss）：
- 最大值为±20V，允许灵活的驱动电压，便于适应不同电路的需求。
导通电阻：
- 在10V Vgs条件下，最大导通电阻（Rds(on)）为2.8Ω（@250mA），能显著降低功耗，并提高电路效率。
阈值电压（Vgs(th)）：
- 最大值保持在1.5V（@250µA），这使得在低电压情况下管子能够顺利导通，增加了电路的灵敏度。
栅极电荷：
- 最大栅极电荷（Qg）为0.9nC（@10V），低栅极电荷意味着这个MOSFET在开关操作时所需的驱动功率小，有助于提高开关频率并降低热量损耗。
输入电容：
- 输入电容（Ciss）为23.2pF（@25V），有助于提高高频率下的开关速度，降低延迟。
工作温度范围
DMN63D8LW-7 能够在-55°C至150°C的广泛温度范围内工作，保证在极端条件下的稳定性和可靠性，为工业和汽车电子应用提供了极大的灵活性。
应用领域
- 消费电子：适用于手机、平板电脑、便携式音频设备及其他便携式设备的电源管理电路。
- 电源管理：可用作低压高效的开关电源设计中的开关元件。
- 电机控制：适用于步进电机和直流电机的驱动，能够提供平稳的控制效果。
- 汽车电子：高温及高效能使其成为汽车控制应用中理想的选择。
结论
DMN63D8LW-7作为一款高性能的N沟道MOSFET，在各类电子应用中展现了优良的性能，包括低导通电阻、优异的功耗特性和广泛的工作温度范围。它的表面贴装封装设计使其更容易集成到现代紧凑型电路中，是各种电子产品的理想选择。若您在寻找一款可靠、高效且经济适用的MOSFET，DMN63D8LW-7将是您的不二之选。