DMN6040SVT-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
TSOT26
包装 :
编带
重量 :
0.021g
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.2W 60V 5A 1个N沟道 TSOT-23-6
库存 :
9058(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
1.02按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.02
--
200+
￥0.786
--
1500+
￥0.685
--
3000+
￥0.596
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMN6040SVT-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 5A | 漏源导通电阻 | 44mΩ @ 4.3A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.2W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 44 毫欧 @ 4.3A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 22.4nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1287pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 1.2W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TSOT-26 | 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
DMN6040SVT-7手册
DMN6040SVT-7概述
DMN6040SVT-7 产品概述
概述
DMN6040SVT-7是一款由美台（DIODES）公司生产的高性能N沟道MOSFET（场效应管），具有优良的电气特性和广泛的应用场景。这款MOSFET的基本电气参数使其非常适合用于高效能的电子设备，如电源管理、开关电源、DC-DC转换器、LED驱动电路以及其他需要高频率、高效率的电子应用。
主要规格
- 漏源电压（Vdss）: 60V
- 连续漏极电流（Id）: 5A（25°C时）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 3V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 44mΩ @ 4.3A, 10V
- 最大功率耗散: 1.2W（Ta=25°C）
- 栅极电压（Vgs）: ±20V（最大值）
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 封装类型: TSOT-26（表面贴装型）
关键特性
高效能的电流传导: DMN6040SVT-7的漏源导通电阻仅为44mΩ，这在一定程度上降低了导通损耗，提高了电路的整体能效。在实际应用中，这种低Rds(on)特性极大程度上减少了热量的产生，从而使得更高的功率密度成为可能。
宽广的工作温度范围: 此MOSFET的工作温度范围从-55°C到150°C，可以在极端环境中稳定工作，非常适合航空航天、汽车电子及其他严酷工作条件下的应用。
优越的切换特性: 该器件的栅极电荷（Qg）在10V驱动下为22.4nC，提供了良好的切换特性。较低的栅极电荷使得其在高频操作时能够快速响应，有效提升了开关效率。
集成度与紧凑设计: TSOT-26封装使得DMN6040SVT-7体积小巧，适合各种空间有限的应用。同时，该封装在散热性能上表现良好，适合于高功率应用。
应用领域
DMN6040SVT-7广泛应用于多种电子产品和系统：
- 电源管理: 它可作为DC-DC转换器中的开关元件，优化能量转换和分配过程，提高系统效率。
- 开关电源: 在开关电源设计中，MOSFET的高频性能和低导通电阻对提升单位功率输出至关重要。
- LED驱动: 适合用于LED照明产品的驱动，提高亮度并降低功耗。
- 马达驱动: 作为马达控制电路的核心开关元件，为电动机提供高效的驱动电源。
- 汽车电子: 在汽车电子特别是电源管理模块中，DMN6040SVT-7能够在苛刻的环境条件下稳定运行。
结论
综上所述，DMN6040SVT-7是一款先进的N沟道MOSFET，其出色的电气性能、广泛的工作温度范围以及优越的封装设计使其成为许多高效能电子应用中的理想选择。凭借其高效能和可靠性，该产品为工程师和设计师实现先进的电源管理解决方案提供了有效支持，是现代电子设计中的重要组成部分。