DMN5L06WK-7
DMN5L06WK-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 50V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 300mA |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 2Ω @ 50mA,5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 250mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 300mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2 欧姆 @ 50mA，5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 50pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 250mW（Ta） | 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
DMN5L06WK-7手册
DMN5L06WK-7概述
DMN5L06WK-7 产品概述
DMN5L06WK-7 是一款卓越性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），广泛应用于低功耗电子设备和高效能电源管理系统。其设计旨在提供高效能与可靠性的电源控制能力，满足现代电子产品中对小型化及高性能的需求。
主要特性
漏源电压（Vdss）: DMN5L06WK-7 的漏源电压额定值为50V，适用于多种中低压电路中的开关控制。其良好的耐压特性使其能够在多种应用环境下稳定工作，避免因过压而导致的器件失效。
连续漏极电流（Id）: 在25°C的环境温度下，该元器件的最大连续漏极电流为300mA，确保在高负载条件下的可靠性。这一容量使其特别适合用于驱动电机，LED以及其他需要高电流的设备。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）: DMN5L06WK-7 的栅源极阈值电压为1V@250µA，说明此MOSFET在非常低的栅电压下就能开始导通。这有助于降低电路的驱动电压要求，进一步减少能耗。
漏源导通电阻（Rds(ON)）: 在5V栅电压和50mA漏极电流条件下，导通电阻最大值为2Ω。这一小数值意味着器件在工作过程中产生的功耗极低，有助于提高电路的整体效率，降低热量产生。
功率耗散: DMN5L06WK-7的最大功率耗散为250mW，在25°C的环境温度下可稳定工作。这使得它非常适合用于功率限制较严格的应用场合，能够有效防止因过热导致的功能失效。
工作温度范围: 该MOSFET的工作温度范围广泛，介于-65°C至150°C之间，能够适应极端工作环境的需求，适合航空航天、工业和汽车等领域的应用。
封装类型: DMN5L06WK-7 采用表面贴装型封装（SOT-323），这种封装设计有助于实现更高的密度布局和自动化生产，适合于各种小型化电子设备中。
应用场景
DMN5L06WK-7广泛应用于以下领域：
- 电源管理: 由于其低Rds(on)和高效能特性，非常适合用于开关电源（SMPS），DC-DC转换器等设备。
- 驱动电路: 可作为电机驱动、LED控制等场合中的关键组件，在需要高效开关控制的场合发挥重要作用。
- 信号开关: 适用于信号开关，提供快速的导通和关断延迟，使其在仪器仪表和通信设备中得以广泛使用。
结论
DMN5L06WK-7是一款高性能、低功耗的N沟道MOSFET，与同类产品相比，展现出更具优势的电气特性和工作稳定性。其在低电压、有限空间中提供强大的电流承载能力，为现代便携式设备以及高效电源设计提供了良好的解决方案。无论是在设计新产品还是在性能改进方面，DMN5L06WK-7都是值得考虑的优质组件。