DMN5L06DWK-7
DMN5L06DWK-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 50V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 305mA |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 2Ω @ 50mA,5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 250mW | 类型 | 双N沟道 |
| FET 类型 | 2 N-通道（双） | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 305mA | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2 欧姆 @ 50mA，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 250mW | 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
DMN5L06DWK-7手册
DMN5L06DWK-7概述
产品概述：DMN5L06DWK-7
DMN5L06DWK-7 是由DIODES（美台）公司推出的一款双 N-沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其主要应用于各类低压电源管理和信号开关电路。该器件具备优越的静态和动态电气性能，特别适合于逻辑电平应用，为设计工程师提供了高效可靠的解决方案。
主要特性
漏源电压範围： DMN5L06DWK-7 的漏源电压（Vdss）达到 50V，能够在多种应用场景中满足高电压需求。
连续漏极电流： 在 25°C 的环境条件下，器件的最大连续漏极电流（Id）为 305mA，能够支持中等电流负载，同时保持良好的热管理特性。
栅源极阈值电压： 该 MOSFET 的栅源极阈值电压（Vgs(th)）为 1V @ 250µA，确保其能够与低电平逻辑电路兼容，提供灵活的控制能力。
漏源导通电阻： 在 50mA 电流和 5V 栅电压下，漏源导通电阻（Rds(on)）为 2Ω，意味着在正常工作条件下，其导通损耗相对较低，有助于提高效率并降低发热量。
输入电容： 该器件具有最大输入电容 Ciss 为 50pF @ 25V，这一特性使得其在高速开关应用中具备较高的响应速度，从而有效提升系统的整体性能。
功率耗散能力： 最多可承受 250mW 的功率耗散（在 25°C 时），使其适用于需要控制大功率负载的应用场合。
工作温度： DMN5L06DWK-7 的工作温度范围广泛，从 -65°C 到 150°C，这使得它能够在极端环境中稳定工作，适用于汽车、工业和消费电子等应用。
封装与安装类型： 本器件采用 SOT-363 表面贴装型封装，适合高密度电路板设计，带来便捷的安装和良好的散热性能。封装尺寸小巧，有助于节省空间并提高系统集成度。
应用场景
DMN5L06DWK-7 的设计使其适用范围广泛，包括但不限于：
电源管理：可用于开关电源、线性稳压器等电源转换电路，确保高效率能量转换。
信号开关：适用于数据通信和控制逻辑电路，作为开关元件实现信号的有效切换。
照明控制：在LED驱动器中可以作为开关，用于调节亮度并提高能量利用率。
电机控制：用于小型电机驱动和控制，实现高效的电源分配和管理。
结论
作为一款高性能的双 N-沟道 MOSFET，DMN5L06DWK-7 在电源管理和逻辑电平控制方面表现出色，结合其宽广的工作温度范围和小巧的 SOT-363 封装，使其成为高密度和高效能电子应用的理想选择。无论是在消费电子、汽车电子，还是工业控制系统中，该器件都能提供卓越的性能和可靠性，助力工程师实现高效率和高可靠性的设计目标。