DMN4031SSDQ-13 产品实物图片
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DMN4031SSDQ-13

商品编码: BM0000283305
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SO-8
包装 : 
编带
重量 : 
0.112g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.42W 40V 5.2A 2个N沟道 SO-8
库存 :
4990(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
2.06
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.06
--
100+
¥1.58
--
1250+
¥1.38
--
2500+
¥1.3
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

DMN4031SSDQ-13参数

FET 类型2 N-通道(双)FET 功能标准
漏源电压(Vdss)40V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)5.2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)31 毫欧 @ 6A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)18.6nC @ 10V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)945pF @ 20V
功率 - 最大值1.42W工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SO

DMN4031SSDQ-13手册

DMN4031SSDQ-13概述

DMN4031SSDQ-13 产品概述

DMN4031SSDQ-13是一款高性能的N通道MOSFET,专为各类电子设备的开关和放大应用设计。该器件的额定参数使其在多个领域中都具有广泛的应用潜力,包括但不限于电源管理、马达驱动、通讯设备以及其他需要高效开关的电路。以下是对该产品的详细介绍。

基本特性

  • FET类型: N-通道(双)
  • 功能: 标准
  • 漏源电压(Vdss): 40V,确保器件在多种电压情境下均能稳定运行
  • 连续漏极电流(Id): 5.2A,表明其能够承载相对较大的电流输出
  • 导通电阻(Rds(on)): 最大31毫欧(@6A,10V)低导通电阻设计,降低功耗,提高效率

性能指标

  • 门源电压开启阈值(Vgs(th)): 最大3V(@250µA),确保设备以较低电压启动,适用于低电压控制电路
  • 输入电容(Ciss): 最大945pF(@20V),低输入电容有助于提高开关速度,减少所需的驱动功率
  • 栅极电荷(Qg): 最大18.6nC(@10V),有利于大幅提升开关速度,降低开关损耗
  • 功率消耗: 最大1.42W,合理的功耗使其适合长时间运行的应用场景

工作环境与安装

  • 工作温度范围: -55°C ~ 150°C,这一广泛的温度范围使得DMN4031SSDQ-13能够在极端环境条件下正常工作,适合汽车、工业以及航空航天等应用
  • 安装类型: 表面贴装型(SMD),使得在众多现代电子设备中能够方便地集成
  • 封装: SO-8,尺寸为0.154"(3.90mm),便于在紧凑的电路板设计中使用

应用场景

DMN4031SSDQ-13广泛应用于需要高频率、高效能开关的电源管理系统、DC-DC转换器、马达控制器和其他需要驱动高电流负载的电路。此外,由于其低导通电阻,MOSFET的热管理表现优异,适合先进的功率电子设备。

在电源转换器中,该器件可以作为低侧开关,配合高侧开关形成有效的全桥或半桥配置,实现高效的电能传递。在马达驱动应用中,DMN4031SSDQ-13能够快速响应控制信号,实现精准的速度和位置控制,为电动机提供稳定的驱动电压和电流。

结语

总之,DMN4031SSDQ-13是一款功能强大、性能优良的N-通道双MOSFET,符合现代电子设备对高效、低功耗和高可靠性的需求。其出色的温度适应性、低导通电阻和高频开关能力,使其成为各种电子应用的理想选择。无论是在工业控制、汽车电子还是消费电子领域,DMN4031SSDQ-13都展现出极大的潜力和应用价值。