FET 类型 | 2 N-通道(双) | FET 功能 | 标准 |
漏源电压(Vdss) | 40V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.2A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 31 毫欧 @ 6A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 18.6nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 945pF @ 20V |
功率 - 最大值 | 1.42W | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SO |
DMN4031SSDQ-13是一款高性能的N通道MOSFET,专为各类电子设备的开关和放大应用设计。该器件的额定参数使其在多个领域中都具有广泛的应用潜力,包括但不限于电源管理、马达驱动、通讯设备以及其他需要高效开关的电路。以下是对该产品的详细介绍。
DMN4031SSDQ-13广泛应用于需要高频率、高效能开关的电源管理系统、DC-DC转换器、马达控制器和其他需要驱动高电流负载的电路。此外,由于其低导通电阻,MOSFET的热管理表现优异,适合先进的功率电子设备。
在电源转换器中,该器件可以作为低侧开关,配合高侧开关形成有效的全桥或半桥配置,实现高效的电能传递。在马达驱动应用中,DMN4031SSDQ-13能够快速响应控制信号,实现精准的速度和位置控制,为电动机提供稳定的驱动电压和电流。
总之,DMN4031SSDQ-13是一款功能强大、性能优良的N-通道双MOSFET,符合现代电子设备对高效、低功耗和高可靠性的需求。其出色的温度适应性、低导通电阻和高频开关能力,使其成为各种电子应用的理想选择。无论是在工业控制、汽车电子还是消费电子领域,DMN4031SSDQ-13都展现出极大的潜力和应用价值。