DMN3730UFB4-7
DMN3730UFB4-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 750mA |
| 栅源极阈值电压 | 950mV @ 250uA | 漏源导通电阻 | 460mΩ @ 200mA,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 470mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 750mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 460 毫欧 @ 200mA，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 950mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1.6nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 64.3pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 470mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | X2-DFN1006-3 | 封装/外壳 | 3-XFDFN |
DMN3730UFB4-7手册
DMN3730UFB4-7概述
DMN3730UFB4-7 产品概述
DMN3730UFB4-7是一款高性能的N沟道MOSFET，专为各种电子产品应用而设计，主要用于开关电源、直流电机控制以及其他需要高效电源管理的场合。该MOSFET的关键参数包括漏源电压（Vdss）为30V、连续漏极电流（Id）可达到750mA，以及极低的漏源导通电阻（Rds(on)）仅为460mΩ，这使其在确保电流高效传输的同时，减少了功率损耗。
主要特性
高漏源电压：DMN3730UFB4-7的漏源电压范围高达30V，适用于大多数通用电源管理应用，能够承受较高的电压而不影响性能。
优异的导通电阻：在4.5V的栅源电压下，该MOSFET的导通电阻为460mΩ（在200mA电流下），这意味着在通电状态下，MOSFET可实现优良的效率，减少系统热量产生和能源损耗。
高电流处理能力：其连续漏极电流在25°C下高达750mA，使得DMN3730UFB4-7适合于需要较高电流的应用场合，尤其是在开关电源和高频率开关电路中。
宽工作温度范围：设备的工作温度范围为-55°C到150°C，确保在极端温度环境下仍能可靠工作，这为工业和汽车等应用提供了很大的灵活性。
低栅阈值电压：栅源极阈值电压为950mV（在250µA下），使得该MOSFET能够在低电压下启动，大大增加了系统的兼容性和灵活性。
小型封装：DMN3730UFB4-7采用X2-DFN1006-3封装，体积小巧，有效节省了电路板空间，适合于高密度电路设计。这种封装通过表面贴装方式实现，与自动化生产线的兼容性高，提升了生产效率。
低栅极电荷：最大栅极电荷（Qg）仅为1.6nC，使得该器件能够以较快的开关速度操作，降低了开关损耗，适合高频应用。
增强的安全性：该MOSFET具有±8V的栅源电压极限，提供了良好的过压保护特性，确保在不稳定电压条件下的可靠性和安全性。
应用场景
DMN3730UFB4-7在多种应用中表现出色，特别是在以下几个领域：
- 开关电源：广泛应用于DC-DC转换器和AC-DC适配器中，能够高效切换电流，提升能源利用效益。
- 电机驱动：用于直流电机控制电路，提供高效稳定的电流。
- 电池管理系统：能够在电池充放电过程中提供精确的电流控制，提升电池的充电效率和使用寿命。
- 消费电子产品：如智能手机、平板电脑和其他便携式设备中，为电源管理和负载切换提供支持。
总结
DMN3730UFB4-7是一款具备高效能和可靠性的N沟道MOSFET，集成了先进的技术与优异的电气性能，满足了现代电子设备高要求的电源管理需求。随着对能效和性能要求的不断提高，该MOSFET将成为众多应用的理想选择。无论是在工业、汽车还是消费电子领域，DMN3730UFB4-7都能够为设计人员提供极大的设计灵活性及优良的性能保障。