DMN26D0UFB4-7
DMN26D0UFB4-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 230mA |
| 栅源极阈值电压 | 1.1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 3Ω @ 100mA,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 350mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 230mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3 欧姆 @ 100mA，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 14.1pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 350mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | X2-DFN1006-3 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
DMN26D0UFB4-7手册
DMN26D0UFB4-7概述
产品概述：DMN26D0UFB4-7
DMN26D0UFB4-7是一款高性能的N沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），专为高效率的电子电路设计而成。该产品由著名半导体供应商Diodes（美台公司）制造，具有优良的导电性能和热管理能力，适用于各种低功耗应用场景。
基本特性与参数
DMN26D0UFB4-7的基础电气参数表明其在多种应用中的灵活性和可靠性。其漏源电压（Vdss）为20V，能够满足绝大多数低电压电路的需求。此外，最大持续漏极电流（Id）为230mA，在正常工作温度下（25°C）表现出稳定的工作能力。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）在1.1V @ 250μA的范围内，这使得该MOSFET能够在较低的栅压下实现有效的开关操作。驱动电压的灵活性也为其广泛应用奠定了基础，既支持1.5V的最小栅源电压以实现导通，也支持最高4.5V的工作环境，确保器件在不同操作条件下的高效工作。
导通电阻与功率耗散
DMN26D0UFB4-7在导通电阻（Rds On）方面表现出色，3Ω的漏源导通电阻（在100mA，4.5V下测得）确保了在高效率和低功耗下工作。此外，该器件的最大功率耗散为350mW（在25°C下），意味着它能够承受一定的热量而不至于损坏，使得其在高负载条件下仍然能够保持有效的性能。
工作温度与封装
在环境适应性方面，DMN26D0UFB4-7的工作温度范围为-55°C到150°C，这使得其能够在极端条件下正常工作，适合工业、汽车及军事等高要求的场合。该MOSFET采用表面贴装型（SMD）设计，封装类型为X2-DFN1006-3，具有较小的占板面积，适合空间受限的应用。
应用领域
凭借其卓越的技术参数与先进的设计，DMN26D0UFB4-7可广泛应用于多个领域，包括但不限于：
电源管理：适用于DC-DC转换器和电源线开关等电源管理应用，具有较低的导通电阻，可有效降低功耗。
信号开关：可以作为低压开关，用于信号路由和负载控制，保证信号的完整性与稳定性。
电机驱动：能够用作小功率电机驱动的控制器件，特别是在自动化设备和机器人技术中。
汽车电子：由于其宽广的工作温度范围，DMN26D0UFB4-7特别适合用于汽车电子系统，如LED驱动和电源开关。
结论
总的来说，DMN26D0UFB4-7是一款功能强大且可靠的N沟道MOSFET，凭借其卓越的电气性能、宽广的工作温度范围及小巧的封装设计，展现出在现代电子设备中的广泛应用潜力。无论是在电源管理、信号处理还是在工业和汽车应用中，该产品都能为设计师提供高效的解决方案，为整个系统的性能和效率提升贡献力量。